国家自然科学基金(61076048)

作品数:3被引量:9H指数:2
导出分析报告
相关作者:郭霞陈树华周弘毅郭帅武华更多>>
相关机构:北京工业大学更多>>
相关期刊:《半导体光电》《电子科技》更多>>
相关主题:粗糙度硅片表面界面态VCL2/AR更多>>
相关领域:电子电信一般工业技术更多>>
-

检索结果分析

结果分析中...
条 记 录,以下是1-3
视图:
排序:
硅片表面粗糙度对界面态的影响被引量:6
《电子科技》2013年第9期50-53,共4页陈树华 武华 周弘毅 崔文凯 马云飞 郭霞 
国家自然科学基金资助项目(61076048)
针对硅片研磨和抛光产生的亚表面损伤层会影响载流子寿命及界面态的特点,采用机械减薄、机械抛光、化学机械抛光(CMP)制备出不同粗糙度的样品。通过傅里叶红外透射谱分析和C-V测试分析表明,粗糙度大的硅片表面因表面损伤大,具有更低的...
关键词:粗糙度 界面态 傅里叶变换红外透射谱 C—V测试 
Cl_2/Ar感应耦合等离子体刻蚀Si工艺研究被引量:2
《电子科技》2012年第9期1-5,共5页郭帅 周弘毅 陈树华 郭霞 
国家自然科学基金资助项目(61076048)
采用Cl2/Ar感应耦合等离子体(ICP)对单晶硅进行了刻蚀,工艺中用光刻胶作掩膜。研究了气体组分、ICP功率和RF功率等工艺参数对硅刻蚀速率和硅与光刻胶刻蚀选择比的影响,同时还研究了不同工艺条件对侧壁形貌的影响。结果表明,由于物理刻...
关键词:感应耦合等离子体  CL2/AR 离子辅助刻蚀 
Au纳米颗粒的形状和尺寸对表面等离子体的影响被引量:1
《半导体光电》2012年第4期515-519,共5页郝聪霞 郭霞 关宝璐 郭帅 李硕 苏治平 
国家自然科学基金项目(61076048);北京市和教育部海外归国人员科研启动基金资助项目
通过调控Au纳米颗粒的形状和尺寸,研究了Au纳米颗粒的形状和尺寸与表面等离子体之间的关系。通过直流磁控溅射的方法在外延片上溅射Au薄膜,并采用快速热退火和常规热退火两种方式对其进行热退火,制备出Au纳米颗粒。使用不同热退火方式...
关键词:Au纳米颗粒 表面等离子体 热退火 
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部