国家自然科学基金(61774014)

作品数：8被引量：5H指数：1
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相关作者：张宝顺李海霞于国浩李新宇张晶更多>>
相关机构：中国科学院北京科技大学宿迁学院苏州大学更多>>
相关期刊：《Transactions of Tianjin University》《Journal of Southeast University(English Edition)》《计算机与数字工程》《半导体技术》更多>>
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相关领域：电子电信自动化与计算机技术一般工业技术更多>>
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基于特征选择和降维的心音信号识别的研究
《计算机与数字工程》2022年第5期1131-1135,共5页李海霞 朱慧博 张施琴 毛凌锋 
国家自然科学基金项目(编号:61774014);江苏省高校自然科学研究面上项目(编号:19KJB510060);江苏省教育科学“十三五”课题(编号:C-c/2020/01/17,C-c/2018/01/04);江苏省研究生科研与实践创新项目(编号:KYZZ15_0331);江苏省六大人才高峰项目(编号:XCL227)资助。
为提高心音信号识别的高效性,论文将特征选择后的参数进行降维处理,得到计算成本降低且识别率满足需求的心音识别模型。首先使用小波包分解和功率谱估计计算心音参数,接下来使用4种方法进行特征选择,通过比较识别率,找出能较好反映心音...
关键词：心音 特征选择 降维 心音识别 
干法刻蚀和氢等离子体处理制备增强型p-GaN栅AlGaN/GaN HEMT特性被引量：1
《半导体技术》2021年第12期932-936,985,共6页冯玉昆 于国浩 吴冬东 杜仲凯 张炳良 李新宇 张宝顺 
国家自然科学基金资助项目(61774014,12164013);中国科学院青年创新促进会资助项目(20200321)。
增强型p-GaN栅AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)的栅与源漏之间的沟道特性对器件性能具有重要的影响。在同一晶圆衬底上,采用干法刻蚀和氢等离子体处理栅与源、漏之间的p-GaN,制备增强型p-GaN栅AlGaN/GaN HEMT。对器件静态、动态特性...
关键词：高电子迁移率晶体管(HEMT) ALGAN/GAN异质结 p-GaN栅 增强型 栅漏电 
纳米尺度下MoS2/hBN界面的表面态和电容特性研究
《功能材料与器件学报》2020年第5期361-368,共8页李海霞 毛凌锋 崔磊 
国家自然科学基金项目(61774014);江苏省高校自然科学研究面上项目(19KJB510060);江苏省研究生科研与实践创新项目(KYZZ15_0331);江苏省六大人才高峰项目(XCL227)
采用第一性原理计算并分析了单层二硫化钼(MoS2)在1到7层六方氮化硼(hBN)衬底上构成的垂直异质结的表面特性及其MIS(金属-绝缘体-半导体)结构的电容-电压特性。在分析hBN层数改变对MoS2介电常数影响的基础上,进一步研究了其对MoS2/hBN...
关键词：MoS2/hBN界面 表面态 MIS 第一性原理计算 
U型槽刻蚀工艺对GaN垂直沟槽型金属-氧化物-半导体场效应晶体管电学特性的影响被引量：2
《物理学报》2020年第9期263-269,共7页陈扶 唐文昕 于国浩 张丽 徐坤 张宝顺 
国家自然科学基金(批准号:U1830112,61774014);苏州市重点产业技术创新-前瞻性应用研究项目(批准号:SYG201848);微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室的开放项目(批准号:6142803180407)资助的课题.
U型槽的干法刻蚀工艺是GaN垂直沟槽型金属-氧化物-半导体场效应晶体管(MOSFET)器件关键的工艺步骤,干法刻蚀后GaN的侧壁状况直接影响GaN MOS结构中的界面态特性和器件的沟道电子输运.本文通过改变感应耦合等离子体干法刻蚀工艺中的射频...
关键词：GaN垂直沟槽型金属-氧化物-半导体场效应晶体管 U型槽 射频功率 刻蚀掩模 
hBN层厚对MoS2/hBN异质结纳米晶体管光电特性的影响被引量：1
《功能材料与器件学报》2020年第2期131-136,共6页李海霞 毛凌锋 
国家自然科学基金资助项目(No.61774014);江苏省高校自然科学研究面上项目(No.19KJB510060);江苏省研究生科研与实践创新项目(No.KYZZ15_0331)
采用第一性原理方法研究了单层二硫化钼(MoS2)在1到7层六方氮化硼(hBN)衬底上构成的垂直范德华异质结的电子结构的精细演变过程,并对其光电特性进行了分析。不仅计算了hBN层数改变对异质结光学性质影响基础上,还进一步研究了hBN层数改...
关键词：第一性原理计算 六方氮化硼 二硫化钼 范德华异质结 
基于离子注入隔离的微缩化发光二极管阵列性能被引量：1
《物理学报》2020年第2期234-240,共7页高承浩 徐峰 张丽 赵德胜 魏星 车玲娟 庄永漳 张宝顺 张晶 
吉林省重大科技招标专项(批准号:20170203014G);国家自然科学基金(批准号:U1830112,61774014);江苏省博士后科研资助计划(批准号:2018K008C);苏州市重点产业技术创新项目(批准号:SYG201928)资助的课题~~
基于F离子注入隔离技术实现一种新型微缩化发光二极管(micromicro-LED)阵列器件,并系统研究注入能量及发光孔径对micro-LED阵列器光电性能的影响.研究结果表明:相比于F离子50 ke V单次注入器件, 50/100 ke V两次注入器件具有更好的光电...
关键词：微缩化发光二极管阵列 离子注入隔离 注入能量 发光孔径 
Influence of the finite size effect of Si（001）/SiO2 interface on the gate leakage current in nano-scale transistors
《Journal of Southeast University(English Edition)》2019年第3期341-350,共10页Li Haixia Ji Aiming Zhu Canyan Mao Lingfeng 
The National Natural Science Foundation of China(No.61774014);Postgraduate Research&Practice Innovation Program of Jiangsu Province(No.KYZZ15_0331);the Natural Science Foundation of the Jiangsu Higher Education Institutions of China(No.19KJB510060)
With the device size gradually approaching the physical limit, the small changes of the Si(001)/SiO 2 interface in silicon-based devices may have a great impact on the device characteristics. Based on this, the bridge...
关键词：finite size effect tunneling current nano-scale transistor 
Fusion of ERT Images Based on Dempster-Shafer's Evidence Theory
《Transactions of Tianjin University》2013年第6期404-412,共9页岳士弘 李跃峰 栗伟清 王化祥 
Supported by National Natural Science Foundation of China(No.61774014 and No.60772080)
In this paper, an electrical resistance tomography(ERT) imaging method is used as a classifier, and then the Dempster-Shafer's evidence theory with fuzzy clustering is integrated to improve the ERT image quality. The ...
关键词：image fusion electrical resistance tomography（ERT） current drive pattern 
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