上海市科学技术委员会资助项目(075007033)

作品数：3被引量：3H指数：1
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HDP介质淀积引起的等离子充电损伤机制研究被引量：1
《电子器件》2009年第3期526-528,共3页王鹏 卜皎 刘玉伟 曹刚 石艳玲 刘春玲 李菲 孙玲玲 
国家自然科学基金资助(60676047,60606010);上海市科委资助(075007033,08706200802)
高密度等离子体化学气相淀积(HDP CVD),具有卓越的填孔能力和可靠的电学特性等诸多优点,因此它被广泛应用于超大规模集成电路制造工艺中。本文研究了金属层间介质(IMD)的HDP CVD过程对栅氧化膜的等离子充电损伤。研究表明在HDP淀积结束...
关键词：等离子体充电损伤 高密度等离子体化学气相淀积(HDP CVD) 栅氧化膜 光电导 
深亚微米工艺下芯片的差分静态电流测试分析
《微电子学》2008年第5期633-636,共4页曹福全 石艳玲 陈哲 甘甜 温秀芝 刘婧 
上海市科委基金资助项目(04QMX1419,075007033)
在分析深亚微米工艺下芯片的差分静态电流(ΔIddq)测试原理的基础上,提出了一套深亚微米工艺下芯片的ΔIddq辅助测试解决方案。通过样本芯片,检验了ΔIddq测试方法的有效性;并根据检验结果,提出了Δ归一化的改进技术。经验证,这种优化...
关键词：差分静态电流测试 深亚微米器件 故障覆盖率 
金属线宽与间距渐变的片上螺旋电感设计规则研究被引量：2
《电子器件》2008年第4期1116-1119,共4页刘婧 石艳玲 曹福全 唐深群 陈大为 黄浩 叶红波 王勇 薛琳艳 
国家自然科学基金资助(60676047,60606010);上海市科委项目资助(075007033、04QMX1419);上海-应用材料研究与发展基金等项目资助(0522)
在分析片上螺旋电感的磁场分布及射频损耗机制的基础上,研究了电感的金属线宽及线圈间距的变化对电感性能的影响,在大量数值分析基础上提出了金属线宽与间距之和不变,而金属线宽与间距之比从外圈到内圈逐渐减小的渐变型片上螺旋电感,并...
关键词：片上螺旋电感 欧姆损耗 磁场损耗 渐变结构 品质因子 
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