国家自然科学基金(60306005)

作品数：5被引量：4H指数：1
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相关作者：黄如张国艳周毅杨利王阳元更多>>
相关机构：北京大学更多>>
相关期刊：《北京大学学报（自然科学版）》《Journal of Semiconductors》《稀有金属材料与工程》更多>>
相关主题：多孔硅衬底SOI衬底集成电感品质因子更多>>
相关领域：电子电信更多>>
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适用于高品质射频集成电感的多孔硅新型衬底制备技术被引量：1
《Journal of Semiconductors》2005年第6期1182-1186,共5页周毅 杨利 张国艳 黄如 
国家自然科学基金资助项目(批准号:60306005)~~
提出了背向选区腐蚀生长多孔硅的集成电感衬底结构.ASITIC模拟证明,该新型衬底结构的集成电感在高频下仍具有较高的品质因子.采用此工艺,在固定腐蚀液配比的条件下,变化电流密度和阳极氧化时间,制备出了高质量的厚膜多孔硅,并测量了多...
关键词：射频集成电路 多孔硅 集成电感 品质因子 
Design Guideline of Ultra Thin Body MOSFET
《Journal of Semiconductors》2004年第10期1227-1232,共6页王文平 黄如 张国艳 
国家自然科学基金 (批准号 :90 2 0 70 0 4,60 3 0 60 0 5 );国家重点基础研究专项基金 (编号 :2 0 0 0 0 3 65 0 1)资助项目~~
Simulation method is used to provide a guideline f or ultra thin body(UTB) MOSFET designs.Three important parameters of the UTB MOS FE T,i.e.the raised S/D height,Ge mole fraction of the Ge xSi 1-x gate,and the ...
关键词：ultra thin body MOSFET raised S/D height Ge mole fraction silicon body thicknessEEACC:4250 128 0 
基于SOI衬底的射频电感优化设计被引量：2
《Journal of Semiconductors》2004年第6期702-706,共5页赵冬燕 张国艳 黄如 
国家高技术研究发展计划 (批准号 :2 0 0 2AA1E15 90 )及;国家自然科学基金 (批准号 :60 3 0 60 0 5 )资助项目~~
比较了SOIRF电感与体硅电感的性能 ,并根据模拟结果分析了电感中空面积 ,电感形状结构 ,金属宽度、间距对SOI电感品质因数Q、自谐振频率、电感量L的影响 ,最后提出了一种基于SOI衬底RF电感的优化设计原则 .以往射频集成电感性能的比较...
关键词：SOI衬底 电感量 品质因数 自谐振频率 
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