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国家自然科学基金(51107099): 作品数：1被引量：0H指数：0; 导出分析报告; 相关期刊：《高电压技术》更多>>; 相关主题：沿面闪络SI-GAAS半绝缘砷化镓光导开关光导半导体开关更多>>; 相关领域：电子电信更多>>

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Experimental Study of Surface Flashover Field of SI-GaAs Photoconductive Semiconductor Switch: 《高电压技术》2013年第8期1919-1924,共6页JI Weili SHI Wei; Project supported by National Natural Science Foundation of China （50837005, 5110 7099）, Foundation of the State Key Laboratory of Electrical Insulation for Power Equip- ment （EIPE09203）.; With its unique features, photoconductive semiconductor switch (PCSS) is generally recognized today as a promising power electronic device. However, a major limitation of PCSS is its surprisingly low voltage threshold...; 关键词：光导半导体开关 SI-GAAS 沿面闪络实验光电电力电子装置光导开关半绝缘砷化镓