国家自然科学基金(60776058)

作品数：5被引量：1H指数：1
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相关期刊：《稀有金属材料与工程》《功能材料与器件学报》《固体电子学研究与进展》《Journal of Semiconductors》更多>>
相关主题：纳米晶镍非挥发性存储器MOS结构MOS更多>>
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电子在镍纳米晶中的直接隧穿及其在MOS结构中的存储(英文)被引量：1
《稀有金属材料与工程》2012年第1期1-4,共4页倪鹤南 吴良才 宋志棠 惠唇 
Nature Science Foundation of Zhejiang Province of China (Y4090148);National Nature Science Foundation of China (60776058)
研究了镍纳米晶镶嵌在 MOS(金属—氧化物—半导体)电容结构中应用于非挥发性存储器的可行性。制备了镶嵌在氧化层中的镍纳米晶。采用电子束蒸发方法,再经过快速退火工艺,得到平均尺寸 7 nm,密度 1.5×1012/cm2的镍纳米晶。电容随频率变...
关键词：纳米晶存储器 镍纳米晶 MOS 结构 电荷存储特性 
Memory characteristics of an MOS capacitor structure with double-layer semiconductor and metal heterogeneous nanocrystals
《Journal of Semiconductors》2009年第11期38-42,共5页倪鹤南 吴良才 宋志棠 惠春 
Project supported by the National Natural Science Foundation of China(No.60776058);the State Key Development Program for Basic Research of China (Nos.2007CB935400,2006CB302700)
An MOS （metal oxide semiconductor） capacitor structure with double-layer heterogeneous nanocrystals consisting of semiconductor and metal embedded in a gate oxide for nonvolatile memory applications has been fabrica...
关键词：nonvolatile memory nanocrvstal memory MOS capacitor 
Ni纳米晶制备及其在MOS电容中存储特性研究
《固体电子学研究与进展》2009年第3期460-464,共5页倪鹤南 惠春 吴良才 宋志棠 
国家自然科学基金(60776058);国家重点基础研究发展计划(2007CB935400;2006CB302700);上海市纲米技术专项(0752nm027)
优化了Ni纳米晶的制备工艺参数,得到了分布均匀,形状为球形,平均尺寸5nm,密度2×1012/cm2的Ni纳米晶。在此基础上,制备了包含Ni纳米晶的MOS电容结构。利用高频电容-电压(C-V)和电导-电压(G-V)测试研究了其电学性能,证明该MOS电容结构的...
关键词：非挥发性存储器 镍纳米晶 金属-氧化物-半导体电容 
Si_2Sb_2Te_5 phase change material studied by an atomic force microscope nano-tip
《Journal of Semiconductors》2009年第6期34-37,共4页刘彦伯 张挺 钮晓鸣 宋志棠 闵国全 张静 周伟民 万永中 张剑平 李小丽 封松林 
supported by the State Key Development Program for Basic Research of China (Nos. 2007CB935400, 2006CB302700);the National High Technology Research and Development Program of China (Nos. 2008AA031402, 2006AA03Z360);the Science and Technology Council of Shanghai (Nos. 0652nm052, 0752nm013, 0752nm014, 07QA14065, 07SA08);the Shanghai Postdoctoral Scientific Foundation (No. 07R214204);the China Postdoctoral Scientific Foundation (No. 20070420105);the National Natural Science Foundation of China (No. 60776058);the Chinese Academy of Sciences (No. 083YQA1001)
The Si2Sb2Te5 phase change material has been studied by applying a nano-tip（30 nm in diameter） on an atomic force microscopy system.Memory switching from a high resistance state to a low resistance state has been ac...
关键词：phase change electrical probe storage Si2Sb2Te5 
金属纳米晶的制备及其在MOS电容结构中的存储特性
《功能材料与器件学报》2009年第3期249-253,共5页倪鹤南 吴良才 宋志棠 惠春 
国家自然科学基金(60776058);国家重点基础研究发展计划(2007CB935400;2006CB302700);上海市纳米技术专项(0752nm027)
优化了金属纳米晶的制备工艺参数,得到了分布均匀,形状为球形,平均尺寸8nm,密度2.5×1011/cm2的Ag纳米晶。在此基础上,制备了包含Ag纳米晶的MOS电容结构。利用高频电容-电压(C-V)和电导-电压(G-V)测试研究了其电学性能,证明该MOS电容结...
关键词：非挥发性存储器 纳米晶 金属纳米晶 
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