国家自然科学基金(10375034)

作品数：4被引量：2H指数：1
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A study of radiation effects of 9 and 12 MeV protons on Chinese CMOS image sensor degradation
《Chinese Physics C》2008年第6期442-445,共4页孟祥提 黄强 马艳秀 郑永男 范平 朱升云 
National Natural Science Foundation of China(10375034,10075029)
The 9 and 12 MeV proton irradiations of the Chinese CMOS Image Sensor in the fluence range from 1× 10^9 to 4×10^10 cm^-2 and 1 × 10^9 to 2×10^12 cm^-2 have been carried out respectively. The color pictures and dar...
关键词：semiconductor technology CMOS image sensor proton irradiation average brightness TRIM simulation 
辐照对SiGe HBT增益的影响
《Journal of Semiconductors》2007年第z1期430-434,共5页孟祥提 王吉林 黄强 贾宏勇 陈培毅 钱佩信 
国家自然科学基金资助项目(批准号:10075029,10375034)
比较了电子和γ射线辐照后SiGe HBT和Si BJT直流增益β的变化.在Vbe≤0.5V时,较高剂量辐照时SiGe HBT的放大倍数辐照损伤因子d(β)为负;在Vbe≥0.5V时,SiGe HBT的d(β)远比Si BJT的小.SiGe HBT有更好的抗辐照性能.针对测得的一些电子陷...
关键词：SiGe HBT 电子辐照 Γ射线辐照 Si BJT 直流增益 
中子辐照对彩色CMOS图像传感器性能的影响被引量：2
《Journal of Semiconductors》2007年第z1期583-587,共5页孟祥提 康爱国 黄强 
国家自然科学基金资助项目(批准号:10375034)
对一种彩色互补金属氧化物半导体(CM0S)图像传感器芯片进行了反应堆中子的辐照实验研究,利用图像分析软件分析了辐照前后芯片的暗输出图像的平均暗输出、暗输出不均匀性和动态范围等参数;与γ射线辐照很不相同,中子辐照器件的暗输出图...
关键词：彩色CMOS图像传感器 中子辐照 Γ射线辐照 输出特性 辐照损伤 
DC Characteristics of Gamma-ray Irradiated SiGe HBT in Comparison with Si BJT
《Chinese Journal of Aeronautics》2006年第B12期192-197,共6页MENG Xiang-ti HUANG Qian WANG Ji lin CHEN Pei-yi TSIEN Pei-hsin 
National Natural Science Foundation of China (10075029 and 10375034)
The changes of DC characteristics of SiGe HBT after being submitted to γ-ray irradiation of 700 krad, 7 000 krad and 10 000 krad were compared to those of Si BJT. Generally speaking, Ib and Ib- Ib0 increase with the ...
关键词：γ-ray irradiation SiGe HBT Si BJT DC characteristics 
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