《真空电子技术》

作品数：3926被引量：4227H指数：17
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《真空电子技术》
主办单位：北京真空电子技术研究所
最新期次：2025年1期更多>>
发文主题：行波管微波彩色显像管真空电子技术电子枪更多>>
发文领域：电子电信一般工业技术电气工程理学更多>>
发文作者：冯进军高陇桥宫玉彬黄卡玛丁耀根更多>>
发文机构：北京真空电子技术研究所电子科技大学西安交通大学中国科学院电子学研究所更多>>
发文基金：国家自然科学基金国家重点基础研究发展计划国家高技术研究发展计划中央高校基本科研业务费专项资金更多>>
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基于激光加工的横向外延单晶金刚石缺陷密度调控研究
《真空电子技术》2024年第5期1-8,共8页文东岳 刘本建 赵继文 郝晓斌 张森 张宇民 代兵 李一村 朱嘉琦 
哈工大原创前沿探索基金(HIT.OCEF.2022048);郑州市重大科技专项项目(2021KJZX0062);河南省重大科技专项项目(221100230300);自然科学基金(52072087,52102039);国家重点研发计划(2020YFA0709700);国家磁约束核聚变能发展研究专项(2019YFE03100200);广东省重点领域研发计划项目(2020B010169002)。
单晶金刚石是一种具有众多优良性能的晶体材料,被誉为终极半导体,随着5G和大数据时代的到来,高质量单晶金刚石成为了当代炙手可热的半导体材料。然而目前市面上的单晶金刚石存在着缺陷密度高,晶体质量差的问题,严重制约了单晶金刚石在...
关键词：金刚石 缺陷密度 激光加工 横向外延 
工业应用的S波段小型化连续波速调管的设计
《真空电子技术》2024年第2期11-15,共5页李闯 卫博 李冬凤 冯海平 王刚 FAN Ying-shan 
速调管具有大功率、高效率、长寿命的特点和优势,在大科学和工业加热中有着广泛的应用。针对微波等离子体化学气相沉积(MPCVD)应用设计了一种10~15 kW级的小型化连续波速调管,速调管总重量小于30 kg,在电压16 kV、电子注电流2 A的状态...
关键词：速调管 连续波 永磁聚焦 注波互作用 
基于PLC和物联网技术的微波合成分子筛控制系统设计
《真空电子技术》2024年第2期56-61,73,共7页蒋齐翻 毕广龙 王辉 高腾飞 于兴智 梁世航 
设计了一套基于PLC和物联网的微波合成分子筛控制系统,该系统以西门子S7-200 smart PLC作为控制器,以Tlink云平台为物联网开发平台,通过传感器实时采集现场的温度、压力等信号传递给PLC,经PLC内部程序处理后发送给DTU无线物联网模块,利...
关键词：PLC 物联网 微波 分子筛 远程监控 
积碳部位对脉冲等离子体推力器点火可靠性的影响研究被引量：1
《真空电子技术》2021年第4期44-50,共7页王帅 刘向阳 丁一墁 赵子靖 王雯倩 王宁飞 
脉冲等离子体推力器(PPT)作为最早的电推进装置之一,具有体积小、重量轻和比冲高等优点,其点火可靠性是寿命试验中的重要参数之一。试验发现,点火产生的积碳通常发生在工质以及样机放电通道内的部件上,对点火可靠性有着重要影响,因此,...
关键词：电推进 脉冲等离子体推力器 积碳 点火可靠性 
氮化铝陶瓷的氧化机理研究被引量：2
《真空电子技术》2020年第1期27-31,共5页陈欣 杨洁 黄刚 李天涛 向军 陈弹蛋 刘平 
四川省科技计划资助项目(项目编号:2018GZ0150).
本文研究了不同氧化处理下氮化铝陶瓷的氧化情况,并使用Mo-Mn法进行金属化,测试封接强度及气密性,从而探究氮化铝瓷的氧化机制,氮化铝基瓷与氧化层之间的结合。结果表明:经过1100℃/1h高温氧化处理,氮化铝陶瓷表面几乎没有氧化。在1250...
关键词：氮化铝陶瓷 氧化 金属化 
半导体用陶瓷绝缘基板成型方法研究被引量：2
《真空电子技术》2020年第1期52-56,共5页童亚琦 郑彧 袁帅 张伟儒 张哲 
国家重点研发计划(2017YFB0310400).
陶瓷材料是半导体器件,特别是大功率半导体器件绝缘基板的重要材料体系。随着半导体器件向大功率化、高频化的不断发展,对陶瓷绝缘基片的导热性和力学性能都提出了更高的要求。成型是陶瓷基板的制备过程的关键环节,也是陶瓷基板制备的...
关键词：半导体 陶瓷绝缘基板 流延 凝胶注模 3D打印 
AlN陶瓷Mo-Mn法金属化的机理研究被引量：6
《真空电子技术》2019年第1期60-64,77,共6页陈欣 杨洁 黄刚 李天涛 向军 陈弹蛋 刘平 
四川省科技计划资助项目(2018GZ0150)
本文先将氮化铝陶瓷氧化,然后在氧化层上采用Mo-Mn法对氮化铝陶瓷进行金属化,通过对氮化铝陶瓷、氧化层、金属化层的显微结构、成分变化、元素的分布情况来探讨金属化的烧结过程,分析氮化铝陶瓷的Mo-Mn法金属化机理。实验结果表明使用Mo...
关键词：Mo-Mn法 氮化铝陶瓷 金属化层 氧化 
我国高纯度氧化铝电子陶瓷的技术进步被引量：4
《真空电子技术》2019年第1期32-36,共5页高陇桥 
本文叙述了我国几十年来高纯度氧化铝电子陶瓷的技术进步,随着电子器件功率的增大和电力电子技术的快速发展,高纯度氧化铝电子陶瓷的各种性能都需要相应的提升。本文也介绍了一些典型的国内外这方面陶瓷的配方,以资比较。通过多方面的...
关键词：高纯度氧化铝电子陶瓷 技术进步 组分 低共熔点 四元系统 
AlN基衰减瓷的制备工艺及其性能研究被引量：3
《真空电子技术》2017年第5期24-26,共3页陈昀 梁田 杨磊 刘洋 任重 
采用热压烧结工艺,通过实验确定了烧结温度和压力,制备出AlN基衰减瓷。对材料的物理性能进行测试,热导率大于50 W/mK,抗折强度大于360 MPa。同时从工程化应用的角度出发,对衰减瓷的匹配特性和衰减量进行了测试,驻波比小于1.2,隔离度小于...
关键词：AlN基衰减瓷 制备工艺 性能测试 
大功率IGBT模块用氮化铝DBC基板技术研究被引量：2
《真空电子技术》2017年第5期33-38,共6页张振文 崔嵩 詹俊 许海仙 
IGBT模块随着功率的不断增大,对DBC基板的导热性能提出了更高的要求,常规的氧化铝DBC已经不能满足导热要求,氧化铍由于加工过程有毒限制其推广应用,氮化铝DBC基板成为环保、高效、满足散热的新一代DBC基板。而铜氧化物对氮化铝难以润湿...
关键词：氮化铝DBC 过渡层 剥离强度 孔洞 
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