A-PLANE

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Giant in-plane optical anisotropy of a-plane ZnO on r-plane sapphire
《Journal of Semiconductors》2013年第12期17-20,共4页武树杰 陈涌海 秦旭东 高寒松 俞金玲 朱来攀 李远 时凯 
Project supported by the State Key Development Program for Basic Research of China(Nos.2013CB619306,2012CB921304);the National Natural Science Foundation of China(No.60990313);the National High Technology Research and Development Program of China(No.2011AA03A101)
We have measured the in-plane optical anisotropy （IPOA） of （1120） ZnO （a-plane） on （10]-2） sapphire （r-plane） by reflectance difference spectroscopy （RDS） at room temperature. Giant IPOA has been observed ...
关键词：ZNO in-plane optical anisotropy reflectance difference spectroscopy 
Particular electrical quality of a-plane GaN films grown on r-plane sapphire by metal-organic chemical vapor deposition
《Journal of Semiconductors》2009年第11期14-16,共3页许晟瑞 周小伟 郝跃 毛维 张进城 张忠芬 白琳 张金凤 李志明 
Project supported by the National Natural Science Foundation of China (Nos.60736033,60676048);the National Key Science and Technology Special Project (No.2008ZX01002-003)
Nonpolar （1120） a-plane GaN films have been grown by low-pressure metal-organic vapor deposition on r-plane （1102） sapphire substrate. The structural and electrical properties of the a-plane GaN films are investig...
关键词：GAN ANISOTROPIC HRXRD NONPOLAR 
Surface morphology of [110] a-plane GaN growth by MOCVD on [1■02] r-plane sapphire
《Journal of Semiconductors》2009年第4期14-17,共4页许晟瑞 郝跃 段焕涛 张进城 张金凤 周晓伟 李志明 倪金玉 
supported by the National Natural Science Foundation of China (No. 60736033);the State Key Development Program for Basic Research of China (No. 513270407)
Nonpolar a-plane [110] GaN has been grown on r-plane [1■02] sapphire by MOCVD, and investigated by high resolution X-ray diffraction and atomic force microscopy. As opposed to the c-direction, this particular orienta...
关键词：GAN AFM HRXRD A-PLANE 
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