高介电材料

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(Na_(1/2)Bi_(1/2))Cu_3Ti_4O_(12)陶瓷的微观结构和电学性质
《物理学报》2010年第5期3509-3515,共7页陈戈 张家良 郝文涛 谭永强 郑鹏 邵守福 
国家重点基础研究发展计划(973)项目(批准号:2007CB607504);教育部"新世纪优秀人才支持计划"项目(批准号:NCET-06-0587)资助的课题~~
利用固相反应法在不同烧结温度条件下制备了一系列(Na1/2Bi1/2)Cu3Ti4O12(NBCTO)陶瓷样品,研究了它们的晶体结构、微观组织结构、介电性质和复阻抗及其随温度的变化.实验发现NBCTO陶瓷所呈现出的电学性质与CaCu3Ti4O12陶瓷相应的电学性...
关键词：高介电材料 介电性质 复阻抗 内阻挡层电容 
高介电BST材料对MIS结构AlGaN/GaN HEMT器件性能的影响
《半导体技术》2008年第S1期98-101,共4页周建军 张继华 陈堂胜 任春江 焦刚 李忠辉 陈辰 杨传仁 
国家"973"重点基础研究项目(61363)
采用衬底同步加热磁控溅射的高介电BST材料作为栅绝缘层,研制了BST/Al GaN/GaNMIS结构HEMT器件。通过对器件直流和高频特性的测试以及与同样厚度Si N MIS结构对比,分析了高介电BST材料作为栅绝缘层对Al GaN/GaN MIS HEMT器件性能的影响...
关键词：ALGAN/GAN HEMT BST MIS 高介电材料 
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