高介电材料

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高介电BST材料对MIS结构AlGaN/GaN HEMT器件性能的影响
《半导体技术》2008年第S1期98-101,共4页周建军 张继华 陈堂胜 任春江 焦刚 李忠辉 陈辰 杨传仁 
国家"973"重点基础研究项目(61363)
采用衬底同步加热磁控溅射的高介电BST材料作为栅绝缘层,研制了BST/Al GaN/GaNMIS结构HEMT器件。通过对器件直流和高频特性的测试以及与同样厚度Si N MIS结构对比,分析了高介电BST材料作为栅绝缘层对Al GaN/GaN MIS HEMT器件性能的影响...
关键词：ALGAN/GAN HEMT BST MIS 高介电材料 
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