有源驱动

作品数：50被引量：167H指数：8
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优化IGBT开关性能的自适应变电阻有源驱动电路研究
《太阳能学报》2024年第12期132-138,共7页周家民 黄连生 陈晓娇 窦盛 何诗英 张秀青 
国家自然科学基金(52207034);安徽省科技重大专项(202003a05020019)。
针对IGBT开通过程中的电流及电压振荡提出一种新型自适应IGBT有源栅极驱动电路(NAAGD)。该电路结合互补IGBT的电压电流信息进行开通驱动电阻的投切控制,可实现开通过程电流及电压振荡的抑制,且可自适应电压电流等级的变化。与现有有源...
关键词：绝缘栅双极型晶体管 自适应 损耗 有源栅极驱动 振荡 
基于有源箝位技术的SiC MOSFET串联均压有源驱动电路研究
《中国电机工程学报》2024年第16期6565-6577,I0023,共14页项鹏飞 郝瑞祥 王启丞 游小杰 徐云飞 袁帆 
国家重点研发计划项目(2022YFB2404100,2022YFB2404105)。
功率器件串联技术是实现高压应用的有效途径之一,而串联应用的主要制约因素是串联器件之间的动态均压问题。该文针对不均压条件下串联器件的关断行为进行了理论分析,探究不均压的产生机理,提出一种基于有源箝位技术的碳化硅金属-氧化物...
关键词：碳化硅金属-氧化物半导体场效应晶体管 串联 有源箝位 均压控制 
提升桥式电路中SiC MOSFET关断性能和栅极电压稳定性的有源驱动电路研究被引量：5
《中国电机工程学报》2022年第21期7922-7933,共12页李虹 邱志东 杜海涛 邵天骢 王作兴 
国家自然科学基金优秀青年基金项目(51822701);国家自然科学基金委员会–国家电网公司智能电网联合基金(U1866211);台达电力电子科教发展计划2021年重点项目(DREK2021004)。
碳化硅金属氧化物半导体场效应管(silicon carbide metal oxide semiconductor field effect transistor,SiC MOSFET)以其低开关损耗、高工作频率、高开关速度等优点越来越广泛地应用于各类电力电子变换器。然而,电路中寄生电感的存在...
关键词：碳化硅金属氧化物半导体场效应管 电压尖峰和振荡 串扰 有源驱动 电磁干扰 
基于开关瞬态反馈的SiC MOSFET有源驱动电路被引量：6
《电工技术学报》2022年第17期4446-4457,共12页刘平 陈梓健 苗轶如 杨江涛 李伟 
江苏省输配电装备技术重点实验室开放资金(2021JSSPD11);湖南省自然科学基金(2021JJ30116)资助项目。
受内部寄生参数与结电容的影响,碳化硅(SiC)功率器件在高速开关过程中存在极大的电流电压过冲与高频开关振荡,严重影响了SiC基变换器的运行可靠性。因此,该文首先对SiC MOSFET开关特性进行深入分析,揭示栅极电流与电流电压过冲的数学关...
关键词：碳化硅MOSFET 有源驱动 栅极电流 电流过冲 电压过冲 
改善SiC MOSFET开关性能的变电压有源驱动电路研究被引量：4
《太阳能学报》2022年第1期362-368,共7页李先允 卢乙 倪喜军 王书征 张宇 唐昕杰 
江苏省重点研发计划(BE201830)。
碳化硅(silicon carbide,SiC)金属氧化物半导体场效应管(metal oxide semiconductor field effect transistor,MOSFET)开关过程中存在电流、电压过冲和振荡问题,这会产生额外的损耗,甚至造成器件损坏。文章提出一种用于SiC MOSFET的变...
关键词：碳化硅金属氧化物半导体场效应管(SiC MOSFET) 有源驱动 过冲 振荡 光伏变压器 
基于门极放电补偿的串联IGBT有源驱动电路被引量：6
《电工技术学报》2021年第18期3934-3945,共12页周野 王旭 鲜亮 杨丹 
国家自然科学基金资助项目(51607029,61836011)。
针对串联IGBT关断期间存在的分压不均问题,该文提出一种旨在补偿关断瞬态各IGBT输入电容放电偏差的有源驱动电路以实现电压平衡控制。该驱动电路由产生补偿电量的电流吸收电路、基于实时承压实现闭环控制的控制采样电路及将高速高带宽...
关键词：串联IGBT 放电补偿 有源驱动 电压平衡 
抑制瞬态电压电流尖峰和振荡的电流注入型SiC MOSFET有源驱动方法研究被引量：15
《中国电机工程学报》2019年第19期5666-5673,共8页冯超 李虹 蒋艳锋 赵星冉 杨志昌 
国家自然科学基金优秀青年科学基金项目(51822701);国家自然科学基金项目(U1866211)~~
为了满足电力电子系统高频、高效和高功率密度的需求,碳化硅金属氧化物半导体场效应管(silicon carbide metal oxide semiconductor field effect transistor,SiC MOSFET)越来越广泛地应用于各类电力电子变换器。其开关过程中存在瞬态...
关键词：碳化硅金属氧化物半导体场效应管 有源驱动 尖峰 振荡 电磁干扰 
一种有源驱动补偿的IGBT串联技术研究
《电气传动》2017年第8期72-75,共4页王圆圆 赵森 秦金垒 廖源 范林涛 
应用于高压环境的电气系统需要能充当断路器的高速开关,以便于在故障发生时于尽可能短的时间内切除主电源。针对这种需求,串联IGBT是一个理想的选择;而串联IGBT的均压问题需要深入研究。介绍了一种有源门极驱动触发时间补偿法以实现各I...
关键词：IGBT串联 动态均压 触发时间补偿 
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