IGBT串联

作品数：68被引量：324H指数：10
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SiC MOSFET及Si IGBT串联短路动态特性研究
《电气传动》2022年第21期3-7,共5页张甜 宋明轩 冯源 何凤有 
江苏省研究生科研与实践创新计划项目(KYCX212229)。
针对因器件击穿、控制失效等问题导致的串联短路现象,基于半桥结构分析了SiC MOSFET及Si IGBT不同的串联短路动态分压特性。同时,结合开关过程中电压、电流的变化分析串联短路分压原理,并在输出特性曲线上标注器件的分压路径。实验结果...
关键词：碳化硅MOSFET 硅IGBT 串联短路 
基于IGBT串联脉冲功率法的氧化锌避雷器电流均衡性现场测试技术被引量：5
《电瓷避雷器》2022年第5期79-85,共7页张耘溢 马磊 刘焱 裴晓元 骆一萍 曾翔君 
由氧化锌避雷器并联阀柱伏安特性不一致导致的爆炸事故在各等级电网中普遍存在,为此提出了一种能够应用于现场检测以及定期停电检测的氧化锌避雷器并联阀柱电流均衡性测试方法,通过IGBT串联技术构造高压直流开关,通过脉冲功率法释放能...
关键词：氧化锌避雷器 电流均衡性 IGBT串联 高压脉冲 
高压电路中IGBT串联均压方法的研究
《工业控制计算机》2021年第11期122-124,共3页杨家辉 曹科 李宏 
研究了一种静态均压电路和一种动态无源RC-D缓冲均压电路,其目的是解决IGBT串联运行时,各个元器件集射极电压分配不均的问题。简述了无源RC-D缓冲均压电路的工作原理,不但分析了在IGBT不同开关状态下,均压电路中各均压元器件的作用,并...
关键词：IGBT串联 无源RC-D缓冲均压电路 参数计算 PSPICE 仿真 
不平衡电压下IGBT串联STATCOM稳定运行范围确定及应用被引量：14
《电力系统保护与控制》2021年第13期158-166,共9页龙云波 张曦 徐永海 张持 徐少博 刘亚民 
国家电网有限公司科技项目资助(5500-201913130A-0-0-00)。
利用绝缘栅双极型晶体管(Insulated Gate Bipolar Transistor,IGBT)串联技术,可使压接型IGBT串联静止同步补偿器(Static Synchronous Compensator,STATCOM)采用结构简单的三相两/三电平拓扑便可直挂于高压配电系统。但是配电系统中电压...
关键词：静止同步补偿器 IGBT串联 电压不平衡 直流电压波动 运行范围 
固体开关式高压脉冲电源的研制
《中国宽带》2021年第1期103-103,共1页徐慧军 可开业 朱伟涛 
衢州学院大学生创新项目Q19X004。
脉冲功率技术在军事武器、等离子体发生器和环境保护等领域得到了广泛的应用,近年来已成为许多国家的研究热点。由于现有开关器件的特性很难满足高压输出的要求,因此对高压脉冲电源的研究主要集中在电源部分电路的拓扑结构上,即,通过开...
关键词：IGBT串联 固体开关式 高压脉冲 
IGBT串联均衡控制方法及其高压直流装备应用可行性研究被引量：13
《中国电机工程学报》2021年第1期299-307,共9页庞辉 周万迪 邓卫华 王成昊 单云海 李弸智 
国家自然科学基金项目(U1966602)。
大功率电力电子技术一般通过器件或模块串联实现高电压耐受,在常规高压直流和早期柔性直流输电换流器中,采用了晶闸管或IGBT直接串联技术。而基于模块级联的换流器技术因具备高扩展能力,成为目前柔性直流输电主流路线,同样也应用于高压...
关键词：IGBT串联 电压平衡控制 大功率电力电子设备 柔性直流输电 高压直流断路器 
一种大功率低开关应力三相Buck功率因数校正电路被引量：3
《中国电机工程学报》2021年第1期318-325,共8页赵银锋 于飞 宋庆国 朱忠尼 周永超 
针对三相单开关Buck功率因数校正器的开关电压应力过大的问题,文章提出一种通过外加辅助元件使开关器件等效阻抗不相等的电压钳位型三相两开关Buck功率因数校正器。相较于传统的三相单开关Buck功率因数校正器,所提方案在保持控制方法简...
关键词：有源功率因数校正器 BUCK电路 整流器 电压钳位 IGBT串联 
直流微网混合式断路器IGBT串联均压特性被引量：8
《高电压技术》2020年第11期3879-3886,共8页冷彤 王德全 廖敏夫 邱军 王汝凡 邹积岩 
国家自然科学基金(51777025);中央高校基本科研业务费基金(DUT19ZD219)。
混合式断路器在直流微网应用中将多个绝缘栅双极晶体管(insulated gatebipolar transistor,IGBT)串联以承受关断过电压,为此对IGBT串联动态均压特性展开探讨。首先,分析了IGBT串联动态不均压原因及电阻、电容、二极管(RCD)无源缓冲均压...
关键词：混合式直流断路器 绝缘栅双极晶体管 IGBT 串联 动态均压 
IGBT串联电压失衡机理研究
《现代电子技术》2020年第20期126-130,共5页赵景 张赛 
河南省高等教育教学改革研究与实践项目(2017SJGLX614);河南省高等学校青年骨干教师培养资助项目(2018GGJS241)。
在高压开关场合的IGBT串联应用中,由于IGBT本身、电路参数、器件温差、驱动信号差异、寄生电容差异等因素的影响,使得IGBT串联使用中存在电压失衡导致高压击穿的问题,影响整个系统的正常工作。因此,文中就导致电压失衡的因素进行分析与...
关键词：IGBT串联使用 串联电压失衡 失衡因素分析 电压平衡方法 高压击穿 理论分析 
基于多级钳位与门信号调节相结合的IGBT串联均压电路研究被引量：9
《中国电机工程学报》2020年第13期4277-4289,共13页周野 王旭 鲜亮 杨丹 师小燕 
国家自然科学基金项目(51607029)。
串联绝缘栅双极型晶体管(insulate gate bipolar transistor,IGBT)关断期间的电压均衡是保证其安全稳定工作的关键。该文在多级钳位均压方式的基础上,提出一种同时作用于负载侧与门极侧的IGBT串联均压电路,该均压电路通过对先关断的IGB...
关键词：IGBT串联 均压 多级钳位 电压反馈 门信号调节 
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