原子层外延

作品数：21被引量：16H指数：2
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ALE法对InSb/GaAs异质薄膜电学性能的改进被引量：2
《激光与红外》2017年第1期67-71,共5页尚林涛 刘铭 周朋 邢伟荣 沈宝玉 
以GaAs(100)为衬底,采用原子层外延(ALE)的方法在GaAs缓冲层和常规InSb外延层间引入85个周期约30nm的InSb低温缓冲层,以快速降低InSb和GaAs界面间较大的晶格失配(14.6%)对外延层质量造成的不利影响,从而改进异质外延薄膜的电学性能。实...
关键词：分子束外延 原子层外延 本征 INSB GAAS 
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