云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 杂质态

杂质态: 作品数：54被引量：53H指数：4; 导出分析报告; 相关领域：理学电子电信更多>>; 相关作者：闫祖威石磊班士良张敏温淑敏更多>>; 相关机构：内蒙古大学内蒙古农业大学河北师范大学内蒙古师范大学更多>>; 相关期刊：《烟台大学学报（自然科学与工程版）》《功能材料》《Journal of Semiconductors》《原子与分子物理学报》更多>>; 相关基金：国家自然科学基金内蒙古自治区自然科学基金教育部科学技术研究重点项目河北省自然科学基金更多>>

压电椭圆柱形InAs/InP核/壳量子点中杂质态线性和非线性光学性质: 《现代应用物理》2024年第5期44-52,共9页韩立志石磊; 国家自然科学基金资助项目(12164033);内蒙古自治区自然科学基金资助项目(2023LHMS01003)。; 在有效质量近似下,考虑压电场的影响,利用微扰法研究了闪锌矿和纤锌矿InAs/InP压电核/壳椭圆柱形量子点的一阶线性、三阶非线性以及总的光学吸收系数和折射率在不同核尺寸、杂质位置及椭圆率下的变化。结果表明:壳尺寸及杂质位置固定时...; 关键词：椭圆柱形核/壳量子点压电场吸收系数折射率光学性质

椭球形反转核/壳量子点中杂质态的结合能及光致电离截面: 《内蒙古大学学报（自然科学版）》2024年第2期146-153,共8页王坤石磊闫祖威; 国家自然科学基金项目(12164033);内蒙古自治区自然科学基金(联合)资助项目(2023LHMS01003)。; 利用变分理论和有效质量近似,研究了核为势垒、壳为势阱的椭球形反转核/壳量子点中杂质态结合能及光致电离截面随体系尺寸、椭球率以及杂质位置的变化关系。数值计算结果表明:量子点尺寸和形状对结合能及光致电离截面有着重要的影响,且...; 关键词：椭球形量子点结合能光致电离截面

In_(x)Ga_(1-x)N/ZnSnN_(2)应变核壳球形量子点中杂质态的结合能及光致电离截面被引量：1: 《内蒙古大学学报（自然科学版）》2022年第1期22-28,共7页张莉雅石磊闫祖威; 国家自然科学基金资助项目(12164033);内蒙古自然科学基金资助项目(2020MS01008,2019MS01006);内蒙古高等学校科学研究项目(NJZY19047)资助;内蒙古“草原英才”工程资助项目; 在有效质量近似下,研究了应变核壳球形量子点中杂质态结合能及光致电离截面随核半径、壳半径以及不同杂质位置的变化关系,并与不考虑应变时的结果作了比较。数值计算结果表明:杂质位置d=R_(1)时杂质态结合能随核半径增大呈先减小后增大...; 关键词：量子点杂质态结合能光致电离截面应变

氮化物半导体量子点核-壳结构杂质态的结合能被引量：2: 《内蒙古大学学报（自然科学版）》2019年第6期604-609,共6页李硕石磊闫祖威; 国家自然科学基金资助项目(11364028,11664030);内蒙古自然科学基金重大项目(2013ZD02)资助;内蒙古"草原英才"工程资助项目; 在连续介电模型和有效质量近似下,采用变分法从理论上研究了GaN/AlxGa1-xN量子点核-壳结构中杂质态结合能,计算了该结构中杂质态结合能随量子点核-壳结构核尺寸、壳尺寸、Al组分以及杂质位置的变化关系.结果表明:杂质态结合能随着量子...; 关键词：球形量子点杂质态结合能

三角形对称罗森-莫尔斯势GaAs量子点杂质态的研究（英文）: 《广州大学学报（自然科学版）》2017年第1期36-41,共6页郭康贤胡美林张仲敏; Supported by the National Natural Science Foundation of China(61178003,61475039);Guangdong Provincial Department of Science and Technology(2012A080304010,S2012010010115,2012A080304005);Guangzhou Municipal Department of Education(12A005S); 在有效质量近似的框架内,利用变分法求解三角形对称罗森-莫尔斯势中砷化镓量子点的薛定谔方程.就杂质结合能作为势阱参数d、V_0,压力P,温度T和杂质位置zi的函数进行了计算,结果表明,杂质结合能深受d、V_0、P、T和zi的影响,在低维半导体...; 关键词：杂质量子点压力温度

电子有效质量随位置变化对半导体量子点杂质态结合能的影响被引量：2: 《内蒙古大学学报（自然科学版）》2017年第1期55-60,共6页肖志婷石磊闫祖威; 国家自然科学基金资助项目(No.1364028);内蒙古自然科学基金重大项目(No.2013ZD02)资助;内蒙古"草原英才"工程资助项目; 在连续介电模型和有效质量近似下,考虑电子有效质量随位置的变化,利用变分法从理论上研究了半导体有限高势垒球形量子点中杂质态的结合能.数值计算了AlxGa1-xAs/GaAs球形量子点杂质态基态结合能随量子点尺寸和垒材料Al组分的变化关系,...; 关键词：量子点杂质态有效质量结合能

导带弯曲对有限深GaN/Ga_(1-x)Al_xN球形量子点中杂质态的影响及其压力效应(英文): 《内蒙古大学学报（自然科学版）》2013年第1期36-42,共7页曹艳娟闫祖威; Project supported by the National Natural Science Foundation of China(Project 10964006);the Research Funds for the Science and Technology Innovation Team of Inner Mongolia Agricultural University(No.NDPYTD2010-7)~~; 用三角势近似界面导带弯曲,采用变分理论研究了流体静压力影响下有限高势垒GaN/Ga1-xAlxN球形量子点中杂质态的结合能,计算中考虑了电子有效质量,电子面密度,介电常数以及禁带宽度随流体静压力的变化.数值计算结果表明,随着电子面密度...; 关键词：量子点电子面密度结合能流体静压力

量子尺寸效应对InGaN/GaN量子点中的类氢杂质态的影响被引量：1: 《郑州轻工业学院学报（自然科学版）》2012年第2期102-104,共3页蒋逢春苏玉玲李俊玉; 河南省基础与前沿技术研究计划项目(102300410108);河南省教育厅自然科学研究计划项目(2011A140028);郑州轻工业学院重大预研基金项目(2009XYYJJ006); 在有效质量近似下,运用变分法研究了量子尺寸效应对闪锌矿InGaN/GaN量子点中类氢杂质的施主束缚能的影响.数值结果显示,类氢杂质的施主束缚能在很大程度上依赖于杂质位置和量子点结构参数,当杂质位于量子点中心时,施主束缚能最大;当量...; 关键词：INGAN/GAN 量子点类氢杂质态变分法量子尺寸效应束缚能

闪锌矿GaN/AIGaN耦合量子点中的类氢杂质态: 《河南师范大学学报（自然科学版）》2011年第4期43-45,共3页楚兴丽王艳文; 国家自然科学基金(10674042);河南省创新型科技人才队伍建设工程(104200510014); 在有效质量近似下,运用变分法计算了闪锌矿GaN/AIGaN耦合量子点中类氢杂质的施主束缚能.数值结果显示了类氢杂质的施主束缚能很大程度依赖于杂质位置和耦合量子点结构参数,当杂质位于量子点中心时,施主束缚能最大,而且随着中间垒宽的增...; 关键词：耦合量子点类氢杂质态施主束缚能

应变GaN/Al_xGa_(1-x)N柱形量子点中杂质态的结合能被引量：2: 《内蒙古大学学报（自然科学版）》2010年第3期289-296,共8页张冬闫祖威; 国家自然科学基金资助项目(10964006);教育部科学技术研究重点资助项目(208025); 在有效质量近似下,利用变分原理研究了有限高应变GaN/AlxGa1-xN柱形量子点中杂质态的结合能,计算了结合能随量子点高度、半径和杂质位置的变化,讨论了应变对结合能的影响.数值计算表明,杂质态结合能随量子点半径的增大而减小,随量子点...; 关键词：量子点类氢杂质内建电场结合能

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