噪声容限

作品数:39被引量:24H指数:2
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相关机构:电子科技大学安徽大学中芯国际集成电路制造(上海)有限公司华中科技大学更多>>
相关期刊:《计算技术与自动化》《山东建筑大学学报》《Science China Materials》《印制电路资讯》更多>>
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8Transistors SRAM稳定性分析与验证
《微处理机》2013年第2期1-5,共5页丁艳 刘章发 
针对8transistors(8T)静态随机存储器(SRAM)存储单元的基本结构,详细研究分析了影响存储单元稳定性性能的因素。为了提升SRAM的稳定性和控制SRAM面积,提出了一种提升稳定性的同时又能有效控制芯片面积的技术方案。在SMIC 40nm工艺条件下...
关键词:静态存储器 稳定性 预充电 噪声容限 写容限 读电流 
基于PVT变量的多米诺电路性能分析和优化
《微处理机》2010年第5期28-31,34,共5页孟宪超 李宏 杜雪 
随着集成电路尺寸的日益降低,工艺制程和非工艺制程变量对电路的影响越来越重要。针对组成高性能处理器的多米诺电路,对影响其功耗、延迟以及噪声的工艺、电压和温度因素,采用45nm BSIM4工艺模型进行了仿真分析,指出了为满足不同的设计...
关键词:PVT变量 多米诺 漏电流 低功耗 延迟 噪声容限 
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