等离子体氮化

作品数：44被引量：48H指数：4
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薄SiO_2膜的等离子体氮化研究
《微电子学与计算机》1989年第6期7-11,共5页蔡跃明 吕世骥 简跃光 
本文论述了薄SiO_2膜的低温等离子体氮化。报道了所测试的氮化SiO_2膜的电学性能。利用AES、IR和SIMS等表面分析技术分析了膜的结构和组份,讨论了氮化条件对膜性质的影响,并提出了物理模型加以解释。
关键词：SIO2膜 等离子体氮化 MOS器件 
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