镇流电阻

作品数:23被引量:23H指数:2
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垂直发射极镇流电阻在HBT中的发射极电流集边效应中的作用被引量:2
《Journal of Semiconductors》2002年第6期624-627,共4页常玉春 崔洪峰 王金忠 宋俊峰 HailinLuo Y.Wang 杜国同 
国家自然科学基金 (批准号 :60 0 770 2 1);国家重大基础研究 (No.G2 0 0 0 0 3 660 5 )资助项目
在异质结双极晶体管 (HBT)功率器件中可以引入外延生长的发射极镇流电阻 ,以改善其热稳定性 .通过理论计算和实验表明这种低掺杂的外延层不仅能作为镇流电阻 ,而且在功率
关键词:垂直发射极 HBT 异质结双极晶体管 镇流电阻 电流集边效应 
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