镇流电阻

作品数：23被引量：23H指数：2
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相关作者：金冬月张波张金平谢红云黄伟更多>>
相关机构：电子科技大学北京工业大学广东工业大学中国电子科技集团第十三研究所更多>>
相关期刊：《微电子学》《半导体技术》《电子科技大学学报》《北京工业大学学报》更多>>
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基于热电模型的多发射极功率HBTs非均匀镇流电阻设计
《Journal of Semiconductors》2007年第z1期439-442,共4页金冬月 张万荣 谢红云 王扬 邱建军 
国家自然科学基金(批准号:60376033)、北京市教委科技发展计划(批准号:KM200710005015)、北京市优秀跨世纪人才基金(批准号:67002013200301)及模拟集成电路国家重点实验室基金(批准号:51439010804QT0101)资助项目
在考虑发射结电压随温度的变化和发射极加入镇流电阻的情况下,给出简化的三维热电模型,用以计算功率HBT芯片表面温度分布.分析表明,对于采用均匀发射极镇流电阻设计的功率HBT,芯片中心发射极条温度最高,严重限制了器件的功率处理能力....
关键词：异质结双极晶体管 热电模型 发射极镇流电阻 
射频功率HBT热稳定性的一种新表征方法被引量：4
《电子器件》2006年第4期1168-1171,共4页金冬月 张万荣 谢红云 邱建军 王扬 
国家自然基金科学基金项目资助(60376033);北京市优秀跨世纪人才基金项目资助(67002013200301);模拟集成电路国家重点实验室基金项目;北京市市属市管高等学校人才强教计划;北京市市属市管高等学校中青年骨干教师资助项目
从热电反馈网络角度出发,在考虑到晶体管发射极电流随温度的变化、发射结价带不连续性(ΔEV)、重掺杂禁带变窄(ΔEg)及基极和发射极加入镇流电阻(RB和RE)等情况下,首次较全面地给出了功率晶体管热稳定因子S表达式。用该表达式可以很方...
关键词：异质结双极晶体管 热稳定因子 镇流电阻 
射频功率HBT自加热效应及补偿方法被引量：2
《微电子学》2006年第3期288-291,共4页金冬月 张万荣 吴春瑜 
国家自然科学基金资助项目(60376033);北京市优秀跨世纪人才基金资助项目(67002013200301);模拟集成电路国家重点实验室基金资助项目(51439010804QT0101)
从器件I-V特性的角度,表征了射频功率异质结双极晶体管(HBT)的自加热效应。研究了器件热阻、工作电压、电流增益、发射结价带不连续性(ΔEV)等诸多因素对器件I-V特性的影响。进而研究了为补偿自加热效应所加镇流电阻对热稳定性的改善情...
关键词：异质结双极晶体管 自加热效应 I-V特性 镇流电阻 
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