深亚微米工艺

作品数：67被引量：63H指数：3
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深亚微米工艺下单粒子瞬态引起的串扰效应
《微电子学与计算机》2015年第2期60-64,共5页蒋见花 卢奕岑 周玉梅 
国家科技重大专项(2009ZX02036-003)
随着集成电路工艺的发展,供电电压降低,线条变细,使得集成电路受到普通串扰和粒子辐射的影响更严重.由此对130~40nm工艺节点普通串扰和单粒子引起的串扰效应进行了对比分析.单粒子引起的串扰比普通串扰更加严重,而且随着工艺进步,单粒...
关键词：串扰 噪声 单粒子 
深亚微米工艺ESD电路设计参数研究被引量：2
《微电子学与计算机》2009年第11期90-94,共5页李志国 岳素格 孙永姝 
通过器件级仿真来评估ESD保护器件的鲁棒性的方法,对ESD电路的关键设计参数进行了研究.通过器件仿真软件MEDICI对栅极到源极接触孔的距离,栅极到漏极接触孔的距离以及栅极的宽度和长度对ESD性能的影响进行了研究,并分析了它们的失效机理...
关键词：ESD NMOS 击穿 仿真 
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