势垒电容

作品数：20被引量：39H指数：3
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CV法测试电阻率的稳定性研究被引量：1
《科技创新与应用》2017年第6期45-46,共2页居斌 陈涛 
本文采用化学气相沉积(CVD)方法,利用平板式外延炉,在5英寸<111>晶向,2×10-3Ω·cm重掺As衬底上,生长N/N+型硅外延片;试验中采用电容-电压方法,利用汞探针CV测试仪,通过金属汞与硅外延片表面接触形成肖特基势垒,测试势垒电容并转换为...
关键词：硅外延片 电容-电压法 势垒电容 
CV法测试电阻率的稳定性研究
《科技创新与应用》2016年第33期12-12,共1页陈涛 李明达 李杨 边娜 
文章采用化学气相沉积（CVD）方法,生长N/N＋型硅外延片;试验中采用电容-电压方法,通过金属汞与硅外延片表面接触形成肖特基势垒,测试势垒电容并转换为外延层载流子浓度和电阻率,实现对外延层电阻率的测量。在此过程中,我们采用H2O2水...
关键词：硅外延片 电容-电压法 势垒电容 
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