数字衰减器

作品数：31被引量：58H指数：4
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相关机构：南京理工大学电子科技大学中国电子科技集团第十三研究所南京电子器件研究所更多>>
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GaN MMIC六位数字衰减器的设计被引量：1
《半导体技术》2021年第12期921-925,共5页齐志华 谢媛媛 
基于GaN HEMT工艺成功研制出一款宽带六位数字衰减器,衰减范围为0~31.5 dB。通过研究GaN HEMT开关器件模型及电阻式衰减网络,选取合适的衰减器拓扑,减小了衰减器的插入损耗,提高了衰减精度,缩小了芯片尺寸。测试结果表明,在2~18 GHz频带...
关键词：GAN 高电子迁移率晶体管(HEMT) 微波单片集成电路(MMIC) 数字衰减器 宽带 
Ku波段6 bit数字衰减器MMIC的小型化设计被引量：7
《半导体技术》2019年第8期612-616,共5页李富强 赵子润 魏洪涛 
基于0.25μm GaAs增强/耗尽(E/D)型赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,设计并实现了一款集成了6 bit并行驱动器的数字衰减器单片微波集成电路(MMIC)。该衰减器采用T型衰减网络结构,不仅缩小了芯片面积,并且可实现较好的衰减精度和衰减...
关键词：单片微波集成电路(MMIC) GaAs 赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT) 增强/耗尽(E/D)型 数字衰减器 数字驱动器 
一种超小型DC^18 GHz MMIC 6 bit数字衰减器被引量：5
《半导体技术》2016年第8期580-585,共6页谢媛媛 陈凤霞 高学邦 
微波单片集成电路(MMIC)数字衰减器的尺寸是芯片成本最主要的决定因素。基于GaAs E/D PHEMT工艺,研制了一款超小型DC^18 GHz 6 bit数字衰减器,芯片上集成了4 bit反相器。重点介绍了数字衰减器拓扑结构的改进及反相器的逻辑单元等电路设...
关键词：微波单片集成电路(MMIC) 超小型 数字衰减器 GaAs E/D PHEMT 直接耦合场效应晶体管逻辑(DCFL)单元 
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