数字衰减器

作品数:31被引量:58H指数:4
导出分析报告
相关领域:电子电信更多>>
相关作者:戴永胜谢媛媛李富强向明飞张宇峰更多>>
相关机构:南京理工大学电子科技大学中国电子科技集团第十三研究所南京电子器件研究所更多>>
相关期刊:《半导体信息》《通信技术》《电子与封装》《中国有线电视》更多>>
相关基金:国家自然科学基金辽宁省高校创新团队支持计划国家重点基础研究发展计划国防科技重点实验室基金更多>>
-

检索结果分析

结果分析中...
选择条件:
  • 期刊=电子器件x
条 记 录,以下是1-2
视图:
排序:
一种采用砷化镓pHEMT工艺的超宽带DC-40GHz4位单片数字衰减器(英文)
《电子器件》2010年第2期150-153,共4页文星 郁发新 孙玲玲 
Project supported by the Key Innovation Fund of China Association for Science and Technology(CAST20080503)
介绍了一种超宽带DC-40GHz的4位单片数字衰减器。该衰减器采用0.25μm砷化镓pHEMT工艺制造。据我所知,这种衰减器是至今国内文献报道中带宽最宽的。它通过采用适当的结构来得到超宽的带宽、低插入损耗以及高衰减精度。该衰减器具有1 dB...
关键词:超宽带 GAAS PHEMT 数字衰减器 
0.5μm GaAs PHEMT数字衰减器设计被引量:1
《电子器件》2008年第6期1801-1803,1807,共4页刘会东 张海英 孙肖磊 陈普峰 
采用0.5μm GaAs PHEMT工艺设计了两款工作于1~4 GHz的数字衰减器。一款为选择式衰减器,衰减量0.5 dB和15 dB,插入损耗≤1 dB,所有衰减状态的输入输出驻波比≤1.7;另外一款为3 bit数字衰减器,衰减步进0.8 dB,最大衰减量5.6 dB,插入损耗...
关键词:微波单片集成电路 宽带 数字衰减器 砷化镓 赝配高电子迁移率晶体管 
检索报告 对象比较 聚类工具 使用帮助 返回顶部