双势垒

作品数：43被引量：48H指数：3
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双势垒量子阱薄膜力电耦合特性实验被引量：1
《Journal of Semiconductors》2007年第8期1211-1215,共5页谢斌 薛晨阳 张文栋 熊继军 张斌珍 
国家自然科学基金资助项目(批准号:50375050)~~
用分子束外延方法在(001)GaAs衬底上生长了AlAs/InGaAs双势垒量子阱薄膜结构.介绍了量子阱薄膜在(110)与(110)方向单轴压应力作用下的力电耦合实验,测试出量子阱薄膜在室温下随着外加压力变化的I-V曲线.测试结果表明:量子阱薄膜I-V曲线...
关键词：纳机电器件 力电耦合 单轴压力 双势垒量子阱 
GaAs-Al_xGa_(1-x)As双势垒结构中电子共振隧穿寿命被引量：2
《Journal of Semiconductors》2005年第10期1929-1933,共5页宫箭 梁希侠 班士良 
国家自然科学基金(批准号:10164003);内蒙古大学青年科技基金(批准号:ND0206)资助项目~~
采用转移矩阵和数值计算相结合的方法求解含时Schrdinger方程,计算了电子在双势垒结构中的构建时间和隧穿寿命.结果表明:构建时间和隧穿寿命对于描述电子隧穿时间特性同等重要.通过研究隧穿时间对结构参数的依赖情况发现,隧穿寿命随阱...
关键词：双势垒 共振隧穿 寿命 
优化生长的In_xGa_(1-x)As缓冲层上双势垒In_yGa_(1-y)As/Al_zGa_(1-z)As/GaAs/Al_zGa_(1-z)As多量子阱应变状态测量
《Journal of Semiconductors》1997年第2期85-90,共6页王小军 郑联喜 肖智博 王玉田 胡雄伟 王启明 
一种多步生长方法应用于GaAs衬底上的InxGa1-xAs缓冲层的MOCVD生长．在这种InxGa1-xAs缓冲层上生长的InyGa1-yAs／AlzGa1-zAs／GaAs／AlzGa1-xAs双垫垒量子阱材料表现出了很好的晶格特性和光学性质．超晶格的室温光伏谱中出现很强的22H...
关键词：量子阱 砷化镓 MOCVD生长 
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