云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 带外抑制

带外抑制: 作品数：133被引量：183H指数：6; 导出分析报告; 相关领域：电子电信更多>>; 相关作者：肖飞陈付昌唐明春陈建新秦伟更多>>; 相关机构：电子科技大学华南理工大学深圳市大富科技股份有限公司西安电子科技大学更多>>; 相关期刊：更多>>; 相关基金：国家自然科学基金江苏省自然科学基金中国博士后科学基金国家重点实验室开放基金更多>>

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高抑制或低插损型卫星导航FBAR芯片设计被引量：1: 《半导体技术》2022年第6期488-492,共5页李亮张仕强梁东升韩易付越东张玉明; 基于6英寸(1英寸≈2.54 cm)硅基微电子机械系统(MEMS)加工工艺,采用薄膜体声波谐振器(FBAR)的结构,设计并加工了中心频率为1268.52 MHz的两款FBAR滤波器芯片,用于满足北斗卫星导航系统中不同位置的信号处理需求。通过改变电路结构和腔...; 关键词：滤波器薄膜体声波谐振器(FBAR) 微电子机械系统(MEMS) 高带外抑制低插入损耗

具有带外抑制的限幅低噪声放大器一体化设计被引量：2: 《半导体技术》2022年第6期493-497,共5页余巨臣彭龙新刘昊凌志健贾晨阳闫俊达刘飞; 基于0.15μm GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,研制了一款27.5~31 GHz具有带外抑制特性的限幅低噪声放大器(LNA)单片微波集成电路(MMIC)。限幅器采用两级并联结构,用微带线进行输入输出匹配,以减小限幅器的插入损耗和电压驻波比...; 关键词：滤波器限幅器低噪声放大器(LNA) 电流复用技术单片微波集成电路(MMIC)

具有带外抑制特性的Ka波段低功耗低噪声放大器被引量：4: 《半导体技术》2021年第1期36-40,共5页曾志李远鹏陈长友; 基于0.15μm GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT)工艺,成功研制了一款30~34 GHz频带内具有带外抑制特性的低功耗低噪声放大器(LNA)微波单片集成电路(MMIC)。该MMIC集成了滤波器和LNA,其中滤波器采用陷波器结构,可实现较低的插入损耗和...; 关键词：低噪声放大器(LNA) 微波单片集成电路(MMIC) GaAs赝配高电子迁移率晶体管(PHEMT) 带外抑制电流复用技术

一款S波段双通道FBAR滤波器被引量：2: 《半导体技术》2020年第9期675-679,共5页王胜福李丽; 研制了一款S波段双通道薄膜体声波谐振器(FBAR)滤波器,其两个通带频率分别为(2000±45)MHz和(2800±45)MHz,在两个通道的输入、输出端分别加入匹配电路。FBAR滤波器芯片采用阶梯型电路结构设计,采用声电磁协同仿真方法对各个通道的FBAR...; 关键词：双通道薄膜体声波谐振器(FBAR)滤波器芯片 S波段匹配电路插入损耗带外抑制

开关滤波器组的研制被引量：8: 《半导体技术》2009年第6期598-601,共4页张宇平高翠琢; 选频网络广泛用于通信领域,开关滤波器是选频网络中的关键部件。开关滤波器组采用PIN开关和腔体滤波器技术,用ANSOFT仿真软件和HFSS高频仿真软件进行电路优化设计,管芯采用烧结工艺,产品的测试结果为通道隔离≥80dBc、带外抑制≥70dBc(...; 关键词：开关滤波器隔离度带外抑制

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