电导调制

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浮空p柱结构的超结IGBT器件的设计
《半导体技术》2022年第8期606-611,共6页吴玉舟 李泽宏 禹久赢 潘嘉 陈冲 任敏 
江苏省重点研发计划项目(BE2020010)。
针对传统结构超结IGBT器件在大电流应用时的电导调制效应较弱,削弱了IGBT器件低饱和导通压降优点的问题,设计了p柱浮空的超结IGBT器件(FP-SJ-IGBT)。采用深槽刻蚀和回填工艺制备了p柱和p体区分离的超结IGBT器件。测试结果表明,该器件击...
关键词：浮空p柱 超结 IGBT 寄生双极结型晶体管 电导调制 
集电区电导调制下的饱和压降及其工艺控制
《半导体技术》1981年第4期9-13,共5页陈家耀 
一、理论分析 我们知道,一般常见的饱和压降公式为, Vces=Ieres+Ve-Vc+Icsrcs （1） 这里Ie为发射极电流, res为发射极串联电阻（一般可忽略）。 Ve为发射结饱和时的结压降。 Ve为集电结饱和时的结压降。 由于在器件进入饱和时,集电结...
关键词：集电区 电导率 电性 饱和压降 电导调制 集电结 非平衡载流子寿命 少子寿命 集电极电流 少子浓度 工艺控制 
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