电调衰减器

作品数：38被引量：31H指数：4
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相关作者：李毅何方敏孟进唐健赵治华更多>>
相关机构：中国人民解放军海军工程大学南京电子器件研究所西安电子科技大学电子科技大学更多>>
相关期刊：《东南大学学报（自然科学版）》《西安电子科技大学学报》《半导体技术》《大众科技》更多>>
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1-18GHz GaAs单片集成电调衰减器
《固体电子学研究与进展》1990年第2期129-136,共8页李毅 陈克金 陈继义 林金庭 
本文叙述了单片宽带GaAs MESFET电调衰减器的设计和制作.单片微波集成衰减器由3个MESFET按T型连接构成,整个芯片的尺寸为1.02×0.72mm.在1～18GHz范围内,插入损耗为2.0～2.7dB,各衰减状态下的输入和输出电压驻波比≤2.0,最大衰减量达20...
关键词：衰减器 单片集成 电调 GAAS 
1～18GHz GaAs微波单片集成电调衰减器被引量：1
《固体电子学研究与进展》1989年第1期106-106,共1页李毅 陈克金 陈继义 林金庭 
目前用于微波控制电路的半导体器件主要是PIN管,然而,随着微波器件和微波技术的改进,微波部件不仅应有较宽的频率特性,同时还需具有体积小、重量轻、成本低的特点。近几年来,随着GaAs MESFET性能的不断提高、成本明显降低,使MESFET在微...
关键词：GAAS 微波 单片集成 衰减器 
南京电子器件研究所一九八六年度科研成果介绍
《固体电子学研究与进展》1987年第1期91-93,共3页钱鼎荣 王烈强 
南京电子器件研究所一九八六年度有39项科研成果分别通过了部(省)、局级和所级鉴定(其中部(省)、局级鉴定13项)。来自大专院校,有关厂所的教授、专家、工程技术人员及上级领导机关代表参加了成果鉴定工作,并对提请鉴定成果的技术水平给...
关键词：电子器件 电调衰减器 酸性光亮镀锡 南京 江苏 研究所 激励器 插损 
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