汽相外延

作品数：43被引量：19H指数：3
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用金属有机汽相外延技术制作焦平面列阵的InSb光电二极管
《红外》2005年第4期46-46,共1页高国龙 
工作于3μm～5μm大气窗口的焦平面列阵具有许多军事和民间应用,如前视红外、导弹制导、无损材料测试以及肿瘤检查等.用离子注入技术可以制作出高均匀性的探测器,但是这种工艺会限制PN结的质量,增加仪器内的暗电流,而且需要低的操作温度.
关键词：焦平面列阵 光电二极管 INSB 技术制作 汽相外延 金属有机 离子注入技术 大气窗口 前视红外 导弹制导 材料测试 高均匀性 操作温度 探测器 PN结 暗电流 
HgCdTe的金属有机汽相外延生长(下)
《红外》1994年第6期25-30,共6页S.J.C.Irvine 高国龙 
4.低温生长 发展金属有机汽相外延的最初动机是为了降低生长温度,从而减少与高平衡Hg汽压及一般较高的扩散系数有关的材料问题。第一次生长碲镉汞时,使用了DMCd和DETe,这两种材料均需要410 ℃的衬底温度。Hoke等人首先提出把能够在较低...
关键词：HGCDTE 有机处延 生长 探测器 
HgCdTe的金属有机汽相外延生长(上)
《红外》1994年第5期1-5,共5页S.J.C.Irvine 高国龙 
概述了用于制备碲镉汞焦平面列阵的金属有机汽相外延生长(MOVPE)技术的一些主要发展步骤。原始有机金属纯度的提高,已可以使本底施主浓度达到10^(14)cm^(-3)的程度,同时还允许用施主或受主控制反向掺杂。用内部扩散多层方法(IMP)有可能...
关键词：碲镉汞 汽相外延生长 红外探测器 
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