汽相外延

作品数：43被引量：19H指数：3
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相关机构：中国科学院昆明物理研究所中国电子科技集团第十三研究所北京大学更多>>
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超高亮度InGaAlP 590 nm LED管芯设计被引量：4
《半导体光电》1998年第1期40-43,共4页曾庆科 廖常俊 刘颂豪 曾宪富 
广东省自然科学基金
根据发光波长、化合物半导体的能带隙和晶格常数三者的关系和实验数据，研究设计了ＩｎＧａＡｌＰ双异质结各层的ｘ，ｙ值组成、掺杂浓度、厚度等整个ＬＥＤ的管芯结构。这种新颖的ＧａＰ（电流扩散层）／ＩｎＧａＡｌＰ（双异质结）／...
关键词：发光二极管 双异质结 汽相外延 LED MOCVD 
在蓝宝石衬底上低压MOVPE生长GaN单晶被引量：5
《半导体光电》1996年第1期65-69,共5页党小忠 张国义 童玉珍 王舒民 
：研究用水平反应室低压金属有机物汽相外延（ＬＰ－ＭＯＶＰＥ）方法在Ｃ面及Ｒ面蓝宝石衬底上外延生长ＧａＮ单晶。讨论了反应室中气流分布和汽相反应对ＧａＮ外延生长的影响；提出了不同的衬底晶向对外延ＧａＮ表面形貌产生影响的机制。
关键词：半导体材料 氮化镓 汽相外延 外延生长 
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