云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 氢化物气相外延

氢化物气相外延: 作品数：60被引量：69H指数：4; 导出分析报告; 相关领域：电子电信理学更多>>; 相关作者：修向前张荣郑有炓谢自力韩平更多>>; 相关机构：中国科学院南京大学山东大学东莞市中镓半导体科技有限公司更多>>; 相关期刊：《中国照明电器》《稀有金属》《电力电子技术》《光谱学与光谱分析》更多>>; 相关基金：国家自然科学基金国家高技术研究发展计划国家重点基础研究发展计划河北省自然科学基金更多>>

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用氢化物气相外延(HVPE)法生长的氮化铟薄膜的性质研究: 《高技术通讯》2014年第9期971-974,共4页俞慧强修向前张荣华雪梅谢自力刘斌陈鹏韩平施毅郑有炓; 973计划(2011CB301900,2012CB619304,2010CB327504);863计划(2014AA032605);国家自然科学基金(60990311,61274003,60936004,61176063);江苏省自然科学基金(BK2011010)资助项目; 在自制设备上用氢化物气相外延(HVPE)方法在α-Al_2O_3以及GaN/α-Al_2O_3衬底上生长了InN薄膜,并对其性质进行了研究。重点研究了生长温度的变化对所获得的InN薄膜的影响,并利用X射线衍射研究了InN薄膜的结构,用扫描电子显微镜研究了...; 关键词：氮化铟(InN) 薄膜氢化物气相外延(HVPE)

氮气载气流量和系统温度对GaN膜质量的影响: 《半导体技术》2013年第11期857-862,868,共7页刘战辉张李骊李庆芳修向前张荣谢自力; 国家自然科学基金青年科学基金资助项目(21203098,51002079);国家重点基础研究发展计划资助项目(2011CB301900); 系统研究了HCl的载气、NH3的载气、总N2载气流量以及镓源反应温度和外延生长温度对氢化物气相外延技术在c面蓝宝石上生长的GaN膜晶体质量的影响,并利用高分辨X射线衍射技术,喇曼光谱和光致发光谱对生长的外延膜进行表征。结构表征发现,...; 关键词：氮化镓氢化物气相外延(HVPE) 氮气载气生长温度镓源反应温度

氢化物气相外延生长高质量GaN膜生长参数优化研究被引量：1: 《物理学报》2013年第20期428-437,共10页张李骊刘战辉修向前张荣谢自力; 国家重点基础研究发展计划(批准号:2011CB301900,2012CB619304);国家自然科学基金(批准号:60990311,60906025,61176063)、国家自然科学基金青年科学基金(批准号:51002079,21203098);国家高技术研究发展计划(批准号:2011AA03A103)资助的课题~~; 系统研究了低温成核层生长时间、高温生长时的V/III比以及生长温度对氢化物气相外延生长GaN膜晶体质量的影响.研究发现合适的低温成核层为后续高温生长提供成核中心,并能有效降低外延膜与衬底间的界面自由能,促进成核岛的横向生长;优化...; 关键词：氮化镓氢化物气相外延低温成核层

氢化物气相外延生长的GaN膜中的应力分析被引量：1: 《光谱学与光谱分析》2013年第8期2105-2108,共4页刘战辉修向前张李骊张荣张雅男苏静谢自力刘斌单云; 国家重点基础研究发展规划项目(2011CB301900,2012CB619304);国家高技术研究发展规划项目(2011AA03A103);国家自然科学基金项目(60990311,60906025,61176063,51002079,21203098);江苏省自然科学基金项目(BK2011010)资助; 对在c面蓝宝石上用氢化物气相外延法(HVPE)生长的六方相纤锌矿结构的GaN膜中的应力进行了分析。高分辨X射线衍射(002)面和(102)面摇摆曲线扫描(半高宽数值分别为317和358角秒)表明生长的GaN膜具有较好的晶体质量。利用高分辨X射线衍射...; 关键词：氮化镓氢化物气相外延拉曼光谱激光光致发光谱应力

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