云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 全耗尽

全耗尽: 作品数：92被引量：86H指数：5; 导出分析报告; 相关领域：电子电信更多>>; 相关作者：王阳元海潮和张兴高勇杨媛更多>>; 相关机构：中国科学院北京大学中国科学院微电子研究所西安理工大学更多>>; 相关期刊：更多>>; 相关基金：国家自然科学基金国家教育部博士点基金西安应用材料创新基金国家重点基础研究发展计划更多>>

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晶体管、MOS器件: 《电子科技文摘》2001年第3期17-18,共2页; Y2000-62422-22 0103672低功率射频应用中部分耗尽与全耗尽绝缘体上硅MOS 场效应晶体管的比较=Comparison between fully-and partially-depleted SOI MOSFET’s for low-power ra-dio-frequency application[会.英]/Rozeau,O.& Jo-maah...; 关键词：绝缘体上硅场效应晶体管部分耗尽动态阈值电压功能材料高频特性器件全耗尽低功率源漏电压

膜混合集成电路、MOS集成电路: 《电子科技文摘》2001年第3期21-21,共1页; Y2000-62422-86 0103719全耗尽绝缘体上硅技术比例生成0.13μm 1.2～1VCMOS 电路=Scability of fully-depleted SOI technologyinto 0.13μm 1.2V～1V CMOS generation[会,英]/Raynaud,C.& Faynot,O.//1999 IEEE InternationalSOI Confe...; 关键词：混合集成电路绝缘体上硅技术硅化物全耗尽混合信号电路技术挑战系统芯片生成超薄膜厚度

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