缺陷密度

作品数：125被引量：120H指数：5
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外延缺陷对分布反馈半导体激光器可靠性的影响
《中国标准化》2021年第13期188-191,共4页张坤伟 焦梦丽 曹晨涛 赵润 
通过对分布反馈半导体激光器(DFB-LD)外延片缺陷密度、芯片反向电压以及芯片可靠性三者关联关系的分析,推断出芯片反向电压与芯片可靠性的相关性。设计并通过试验证实反向电压绝对值低的芯片可靠性差,而反向电压满足一定判定标准的芯片...
关键词：分布反馈半导体激光器 反向电压 二次外延生长 外延缺陷密度 失效率 
宽禁带半导体产业大尺寸第三代半导体氮化镓衬底产业化项目
《中国粉体工业》2020年第1期65-68,共4页
一、项目单位简介实现第三代半导体高性能器件产业化和规模化应用的关键是要获得价格合理的低缺陷密度GaN晶体基片。本项目技术团队所拥有的高技术和低成本优势在国内外是独一无二的,技术领先、工艺成熟,已经具备大规模量产的条件。本...
关键词：微电子器件 宽禁带半导体 光电子器件 氮化镓 缺陷密度 工艺成熟 低成本优势 技术团队 
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