中频磁控溅射

作品数:74被引量:187H指数:6
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相关领域:金属学及工艺一般工业技术更多>>
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中频磁控溅射制备AlN薄膜被引量:4
《核技术》2009年第3期169-172,共4页任克飞 阴明利 邹长伟 付德君 
国家自然科学基金(10675095;10875091)资助
设计了一套阳极层离子源辅助中频磁控溅射装置,并在Si(111)衬底上沉积AlN薄膜。用X射线衍射、原子力显微镜和扫描电镜分析了AlN薄膜的结构、形貌和成分。在优化的实验条件下制备的AlN薄膜具有较强的(002)衍射峰,其半高宽为612–648弧秒...
关键词:中频磁控溅射 ALN 阳极层离子源 
中频磁控溅射制备GaN薄膜被引量:3
《核技术》2008年第7期515-518,共4页丁咚 阴明利 邹长伟 郭立平 付德君 
采用中频磁控溅射技术,以金属Ga为靶材料,在Si(111)衬底上形成了GaN薄膜,研究了溅射压强、衬底温度等对GaN薄膜结构和成分的影响。发现沉积气压为0.4~1.0Pa时,薄膜呈GaN(002)取向,气压大于1.0Pa和小于0.4Pa时,用X射线衍射方法难以观察...
关键词:中频磁控溅射 GAN X射线衍射 沉积速率 
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