云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 调制掺杂场效应晶体管

调制掺杂场效应晶体管: 作品数：7被引量：5H指数：1; 导出分析报告; 相关领域：电子电信更多>>; 相关作者：李国强王文樑郝跃张进城杨燕更多>>; 相关机构：华南理工大学西安电子科技大学中国科学院吉林大学更多>>; 相关期刊：《电子科技文摘》《西安电子科技大学学报》《电子科技大学学报》更多>>; 相关基金：国家部委预研基金国家重点基础研究发展计划国家留学基金更多>>

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深亚微米纤锌矿相AlGaN/GaN MODFET输出特性的微分负阻效应: 《中国科学（E辑）》2003年第6期568-576,共9页郭宝增 Umberto Ravaioli; 国家留学基金(批准号:98813054); 用全带组合Monte Carlo方法模拟了Al_(0.15)Ga_(0.85)N/GaN MODFET的直流特性。模拟器件的栅极长度L_g为0.2μm,沟道长度L_(DS)为0.4μm。在模拟得到的I_(DS)-V_(DS)输出特性曲线中,发现了微分负阻效应,即V_(GS)为固定值时,当V_(DS)逐...; 关键词：调制掺杂场效应晶体管深亚微米纤锌矿相 ALGAN/GAN MODFET 输出特性微分负阻效应直流特性 MonteCarlo方法

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