叠层

作品数：1464被引量：2711H指数：17
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大功率1550nm双叠层隧道级联激光器外延材料研究
《中国标准化》2024年第S1期347-352,共6页宁吉丰 曹晨涛 李易昆 蒋红旺 张厚博 陈宏泰 房玉龙 
1550nm由于其人眼安全特性,越来越广泛应用于激光测距、激光照明和医疗美容等领域。但与传统的905nm波段相比,1550nm波段工作功率不够高是限制其应用的主要因素。本文研制了一款大功率1550nm双叠层隧道级联激光器。分析了有源区结构设...
关键词：半导体激光器 人眼安全 1550nm 隧道级联 叠层 
一种半导体结构、半导体结构的制备方法和热电堆传感器
《传感器世界》2023年第5期45-45,共1页
本发明涉及一种半导体结构、半导体结构的制备方法和热电堆传感器。包括:衬底,衬底的上表面开设有凹槽,衬底的下表面开设有背腔,其中,凹槽与背腔相对设置;介质叠层,位于衬底的上表面和凹槽内,介质叠层的下表面外露于背腔;导电层,位于介...
关键词：半导体结构 热电堆传感器 导电层 背腔 叠层 凹槽 制备方法 衬底 
有机叠层太阳能电池研究获进展
《河南化工》2019年第8期31-31,共1页
太阳能是人类可利用的最丰富的可再生能源,太阳能电池是将太阳能直接转换成电能,而不会产生二氧化碳排放。有机光伏(OPV)材料和器件以其溶液处理的低成本、丰富的原材料以及可以制备成柔性和半透明器件等突出优点,成为新一代太阳能电池...
关键词：叠层太阳能电池 有机太阳能电池 二氧化碳排放 电池结构 可再生能源 本体异质结 有机半导体 直接转换 
外延叠层多有源区激光器的结构优化设计被引量：3
《光学学报》2018年第10期191-196,共6页侯继达 熊聪 祁琼 刘素平 马骁宇 
国家重点研发计划(2017YFB0405303)
基于分离的非对称大光腔结构,对激射波长为905nm的外延叠层三有源区大功率脉冲半导体激光器的外延结构进行优化设计。通过优化近场光场模式、自由载流子吸收损耗、相邻发光区之间距离以及掺杂浓度分布等关键参数,提高了器件的脉冲峰值功...
关键词：激光器 半导体激光器 脉冲激光器 外延叠层结构 结构设计 
砷化镓基系Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体太阳电池的发展和应用(4)被引量：2
《太阳能》2015年第9期18-18,共1页向贤碧 廖显伯 
进一步提高太阳电池效率最现实、最有效的途径是形成多结叠层聚光电池。这里以三结叠层电池为例来说明叠层电池的工作原理。选取3种半导体材料，如GaInP、GaInAs和Ge，
关键词：太阳电池 化合物半导体 Ⅲ-V族 砷化镓 应用 叠层电池 GAINAS 半导体材料 
高功率905nm InGaAs隧道结串联叠层半导体激光器被引量：4
《强激光与粒子束》2013年第10期2517-2520,共4页李辉 曲轶 张剑家 辛德胜 刘国军 
国家自然科学基金项目(60976044);吉林省科技厅项目(20111810)
设计出了隧道结串联叠层半导体激光器结构,采用分子束外延进行激光器材料的外延生长,材料经过光刻、腐蚀、欧姆接触、解理、腔面镀高反射/减反射膜、焊装等工艺,制作成条宽200μm、腔长800μm的半导体激光器。两隧道结激光器在脉冲宽度1...
关键词：高功率 应变量子阱 隧道结 半导体激光器 
Ⅱ-Ⅵ族材料在叠层太阳能电池中的应用被引量：2
《真空科学与技术学报》2013年第3期271-276,共6页杨秋旻 刘超 崔利杰 曾一平 
国家自然科学基金资助项目(60876004);北京市自然科学基金资助项目(2123065)
Ⅱ-Ⅵ族材料ZnSe、CdSe、ZnTe、CdTe等具有禁带宽度大,少子寿命对位错不敏感等优点,可以作为一种新的材料体系应用于叠层太阳能电池中。此类材料既能够与铜铟镓硒电池、Ⅲ-Ⅴ族材料、单晶Si等相结合,也可将不同的Ⅱ-Ⅵ族材料相结合制备...
关键词：Ⅱ-Ⅵ族化合物 叠层太阳能电池 单极性半导体 掺杂 
应材蚀刻技术大突破
《半导体信息》2012年第4期29-29,共1页赵佶 
半导体设备大厂应用材料推出最先进的蚀刻技术—AppliedCenturaAvatar介电层蚀刻系统,这项突破性的系统是解决建立3D存储器架构的严峻挑战;3D存储器架构可提供高密度兆位元储存容量,为未来资料密集型移动装置所必需。应用材料表示,Avata...
关键词：复合薄膜 应用材料 半导体设备 移动装置 叠层 接触结构 多层材料 副总裁 特征结构 存储单元 
HfO_2/TaON叠层栅介质Ge MOS器件制备及电性能研究被引量：1
《半导体技术》2010年第12期1149-1152,共4页张雪锋 季红兵 邱云贞 王志亮 徐静平 
国家自然科学基金(60776016);江苏省高校自然科学研究基金(09KJD510003);南通大学科研启动基金(09R08)
为提高高k/Ge MOS器件的界面质量,减小等效氧化物厚度(EOT),在high-k介质和Ge表面引入薄的TaON界面层。相对于没有界面层的样品,HfO2/TaON叠层栅介质MOSFET表现出低的界面态密度、低的栅极漏电和较好的输出特性。因此利用TaON作为Ge MO...
关键词：锗基p沟场金属-氧化物-半导体场效应晶体管 氮氧钽铪界面层 高介电常数介质 散射 迁移率 
HfO_2/TaON叠层栅介质Ge pMOSFET制备及迁移率退化研究
《固体电子学研究与进展》2010年第4期485-488,共4页张雪锋 季红兵 邱云贞 王志亮 陈云 张振娟 黄静 徐静平 
国家自然科学基金项目(60776016);江苏省高校自然科学研究基金项目(09KJD510003);南通大学科研启动基金项目(09R08)
为提高high-k/Ge界面质量,在high-k介质和Ge表面引入薄的TaON界面层。相对于没有界面层的样品,HfO2/TaON叠层栅介质Ge pMOSFET样品的空穴迁移率有显著提高,但仍小于理论预测值。利用high-k栅介质MOSFET中各种新的附加散射机制,分析了迁...
关键词：锗基p沟场金属-氧化物-半导体场效应晶体管 高介电常数介质 散射 迁移率 
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