总剂量辐射效应

作品数：54被引量：113H指数：5
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相关期刊：《微电子学与计算机》《核电子学与探测技术》《红外与激光工程》《固体电子学研究与进展》更多>>
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大规模集成电路浮栅ROM器件总剂量辐射效应被引量：4
《Journal of Semiconductors》2006年第1期121-125,共5页何宝平 周荷琴 郭红霞 周辉 罗尹虹 姚志斌 张凤祁 
提出了一种大规模集成电路总剂量效应测试方法在监测器件和电路功能参数的同时,监测器件功耗电流的变化情况,分析数据错误和器件功耗电流与辐射总剂量的关系.根据该方法利用60Coγ射线进行了浮栅ROM集成电路(AT29C256)总剂量辐照实验,...
关键词：大规模集成电路 总剂量效应 低剂量率 失效时间 
多能级闪存的总剂量辐射效应
《Journal of Semiconductors》2003年第6期656-662,共7页孟宣华 殷光迁 顾靖 何国伟 
介绍了一种新型的存储技术——多能级存储 ,并对应用此技术的多能级闪存进行 γ射线辐射 ,研究了多能级闪存的阈值电压及存储单元的电性能曲线等随辐射剂量、辐射剂量率以及时间的关系规律 .
关键词：多能级闪存 浮栅 Γ射线 辐射效应 
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