最高振荡频率

作品数：18被引量：13H指数：2
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相关作者：刘新宇刘果果魏珂黄俊程伟更多>>
相关机构：中国科学院微电子研究所南京电子器件研究所北京工业大学中芯国际集成电路制造(上海)有限公司更多>>
相关期刊：《人工晶体学报》《微纳电子技术》《固体电子学研究与进展》《Journal of Semiconductors》更多>>
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新结构微波功率SiGe HBT的数值分析
《Journal of Semiconductors》2005年第1期96-101,共6页刘亮 王玉琦 肖波 亢宝位 吴郁 王哲 
提出一种新结构的微波功率SiGe异质结双极晶体管 (SiGeHBT) ,该结构通过在传统SiGeHBT的外基区下的集电区中挖槽并填充SiO2 的方法来改善器件的高频性能 .将相同尺寸的新结构和传统结构的器件仿真结果进行比较 ,发现新结构器件的基区 ...
关键词：微波功率SiGe HBT MSG/MAG 最高振荡频率 
AlGaN/GaN基HBTs的高频特性模拟
《Journal of Semiconductors》2005年第z1期147-150,共4页冉军学 王晓亮 王翠梅 王军喜 曾一平 李晋闽 
国家重点基础研究发展规划(批准号:G20000683,2002CB311903)和国家高技术研究发展计划(批准号:2002AA305304)资助项目
对n-p-n型AlGaN/GaN基HBTs的高频特性进行了模拟计算,分析了发射区、基区、集电区的一些材料参数对n-p-n型AlGaN/GaN基HBTs的高频特性的影响.发现基区的设计对频率性能影响很大,减小基区厚度、增大空穴浓度和迁移率将有效提高HBTs的频...
关键词：HBTS ALGAN/GAN 截止频率 最高振荡频率 
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