最高振荡频率

作品数：18被引量：13H指数：2
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相关作者：刘新宇刘果果魏珂黄俊程伟更多>>
相关机构：中国科学院微电子研究所南京电子器件研究所北京工业大学中芯国际集成电路制造(上海)有限公司更多>>
相关期刊：《人工晶体学报》《微纳电子技术》《固体电子学研究与进展》《Journal of Semiconductors》更多>>
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基于SOI结构的SiGe HBT频率特性研究被引量：1
《微电子学》2006年第4期389-391,共3页戴广豪 李文杰 王生荣 李竞春 杨谟华 
基于SOI技术原理,模拟仿真了SOI结构SiGe HBT的频率特性,并与相同条件下体SiGe HBT频率特性进行了比较分析。仿真结果显示,SOI结构中埋氧层BOX的引入,可使SOI结构SiGe HBT集电极-基极电容Ccb和衬底-基极电容Csb最大降幅分别达94.7%和94....
关键词：SOI SIGE 异质结晶体管 频率特性 最高振荡频率 
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