云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 碲镉汞薄膜

碲镉汞薄膜: 作品数：42被引量：75H指数：5; 导出分析报告; 相关领域：电子电信更多>>; 相关作者：孔金丞姬荣斌赵俊何力李雄军更多>>; 相关机构：昆明物理研究所中国科学院中国电子科技集团第十一研究所华北光电技术研究所更多>>; 相关期刊：《红外技术》《光电子．激光》《半导体光电》《红外》更多>>; 相关基金：国家自然科学基金国家科技重大专项国家重点基础研究发展计划上海市自然科学基金更多>>

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HgCdTe红外探测器离子注入剂量优化研究被引量：13: 《物理学报》2004年第3期911-914,共4页陈贵宾陆卫蔡炜颖李志锋陈效双胡晓宁何力沈学础; 国家自然科学基金 (批准号 :10 0 740 68和 60 2 44 0 0 2 );国家重点基础研究项目 (批准号 :G19980 614 0 4)资助的课题~~; 在中波响应波段的p型Hg0 70 9Cd0 2 91 Te(MCT)分子束外延生长薄膜上 ,利用材料芯片技术获得叠加注入不同硼离子剂量的系列大光敏元面积 (5 0 0 μm× 5 0 0 μm)的n_op_p结 .通过测量液氮温度下不同离子注入剂量单元的电流电压特性...; 关键词：碲镉汞薄膜红外探测器离子注入分子束外延 P-N结暗电流特性

质子注入MBE碲镉汞n-on-p结性能研究被引量：8: 《物理学报》2003年第6期1496-1499,共4页陈贵宾李志锋蔡炜颖何力胡晓宁陆卫沈学础; 国家自然科学基金 (批准号 :10 0 740 68;60 2 440 0 2 );国家重点基础研究项目 (批准号 :G19980 614 0 4)资助的课题~~; 基于中波响应波段的分子束外延碲镉汞薄膜材料成功制备出不同质子注入剂量的大光敏元 ( 5 0 0 μm× 5 0 0 μm)的n on p结构的p n结 ,并对相应的p n结的电流电压 (I V)特性进行了研究 .质子注入剂量为 2× 10 1 5cm- 2 时R0 A达 3 12...; 关键词：质子注入分子束外延碲镉汞薄膜 n-on-p结构 p-n结电流-电压特性 I-V特性 MBE

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