碲镉汞材料

作品数：48被引量：97H指数：6
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碲镉汞材料中Hg空位、Au、As掺杂的研究进展
《红外》2021年第2期15-20,28,共7页郝斐 曹鹏飞 杨海燕 吴卿 
陕西省教育厅重点实验室科研计划项目(17JS105)、西安石油大学研究生创新与实践能力培养计划项目(YCS19212066)。
碲镉汞材料是制造红外探测器的基础,高性能红外探测器对碲镉汞材料的要求越来越高。为了提升器件性能,必须提高碲镉汞材料的电学性能。而掺杂是一个很好的选择。碲镉汞材料掺杂可以分为n型和p型两种。对于n型掺杂来说,In是一种理想的掺...
关键词：碲镉汞 Hg空位掺杂 Au掺杂 As掺杂 
碲镉汞红外焦平面阵列探测器技术的最新进展(上)被引量：4
《红外》2018年第2期44-48,共5页高国龙 
0引言 在过去的50多年中,采用碲镉汞材料的红外探测器技术发生了很大的变化,从整块晶体生长和单个光电探测器制备发展到了非常复杂的外延生长材料和高密度成像焦平面阵列.然而,现有的基于碲镉汞的红外系统依然离不开笨重a昂贵的低温制...
关键词：红外焦平面阵列探测器 低温制冷技术 碲镉汞材料 红外探测器 光电探测器 研究与发展 外延生长 晶体生长 
碲镉汞材料表面钝化研究的发展(下)被引量：4
《红外》2012年第4期7-13,共7页王忆锋 刘黎明 孙祥乐 陈燕 
碲镉汞(Hg_(1-x)Cd_xTe,MCT)材料的表面钝化被认为是光导和光伏探测器制备中的关键步骤之一。实用的MCT器件需要稳定且可重复生产的钝化表面和符合器件性能要求的界面及表面势。通过对近年来的部分英语文献进行归纳分析,介绍了MCT表面...
关键词：碲镉汞 红外探测器 表面钝化 表面处理 
碲镉汞材料表面钝化研究的发展(上)被引量：4
《红外》2012年第3期1-8,共8页王忆锋 刘黎明 孙祥乐 陈燕 
碲镉汞(Hg_1-_xCd_xTe,MCT)材料的表面钝化被认为是光导和光伏探测器制备中的关键步骤之一。实用的MCT器件需要稳定且可重复生产的钝化表面和符合器件性能要求的界面及表面势。通过对近年来的部分英语文献进行归纳分析,介绍了MCT表面钝...
关键词：碲镉汞 红外探测器 表面钝化 表面处理 
碲镉汞材料非本征掺杂研究的发展被引量：14
《红外》2012年第1期1-16,共16页王忆锋 刘黎明 余连杰 胡为民 
通过对近年来的部分英文文献进行归纳与分析,介绍了碲镉汞(Hg_(1-x)Cd_xTe,MCT)非本征掺杂的研究进展。MCT非本征掺杂是指杂质为Hg、Cd或Te以外的其他元素的情况。描述了MCT晶体结构的基本概念。以一些常用杂质的性质为重点,讨论了MCT...
关键词：碲镉汞 红外探测器 非本征掺杂 
碲镉汞材料导电类型转换研究的发展被引量：2
《红外》2011年第12期1-9,共9页王忆锋 余连杰 胡为民 
导电类型转换(CTC)描述了掺杂或非故意掺杂碲镉汞(MCT)材料导电特性的p-to-n或n-to-p的改变过程。对CTC机制的深入理解涉及物理、电学和化学等多种学科。迄今为止的相关进展主要是经验性的。主要通过对近年来部分英文文献进行归纳分析,...
关键词：碲镉汞 红外探测器 导电类型转换 离子束研磨 
多光谱单片红外焦平面列阵探测器
《红外》2004年第2期16-16,共1页高 
本发明提供一种多色红外传感器件，即单片多色红外成像列阵。这种器件是通过用分子束外延(MBE)将碲镉汞材料结构直接生长在定制的读出电路上的方式制备的。其具体制备步骤如下：在硅半导体衬底的一个表面上专门设计和制备一个用于直接...
关键词：红外焦平面列阵 探测器 红外传感器件 分子束外延 碲镉汞材料 集成电路 湿法蚀刻 
远红外探测技术的进展
《红外》2004年第2期40-45,共6页顾聚兴 
用分子束外延(MBE)方法生长了Ⅱ-Ⅵ族本征甚长波红外(VLWIR,λc约为20μm～50μm)材料——HgCdTe合金和HgCdTe/CdTe超晶格。用X射线衍射、常规傅里叶变换光谱学、霍尔效应测量技术和透射电子显微技术(TEM)对外延层进行了表征。为了验证...
关键词：分子束外延 远红外探测 碲镉汞材料 探测器 Ⅱ-Ⅵ族超晶格 霍尔效应 傅里叶变换光谱学 透射电子显微技术 
碲镉汞材料制备及其评价被引量：1
《红外》2001年第7期1-8,共8页吴俊 何力 
红外辐射是介于可见光和微波之间的电磁波,波长从0.75微米到1000微米,覆盖光谱区之宽是可见光、X光等其它有意义的电磁波段不能相比的,因而也包含更多的内容,有更多的应用。为了研究红外辐射,制造红外器件乃至红外系统是必不可少的。
关键词：碲镉汞材料 红外辐射 制备 评价 半导体材料 光敏型红外探测器 
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