耐压模型

作品数：11被引量：26H指数：2
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阶梯掺杂薄漂移区RESURF LDMOS耐压模型被引量：3
《Journal of Semiconductors》2005年第11期2159-2163,共5页李琦 张波 李肇基 
提出硅基阶梯掺杂薄漂移区RESURFLDMOS耐压解析模型.通过分区求解二维Poisson方程,获得阶梯掺杂薄漂移区的二维表面电场和击穿电压的解析表达式.借助此模型研究击穿电压与器件结构参数的关系,其解析与数值结果吻合较好.结果表明:在导通...
关键词：薄漂移区 阶梯掺杂 击穿电压 模型 
阶梯分布埋氧层固定电荷SOI高压器件新结构和耐压模型被引量：14
《Journal of Semiconductors》2004年第12期1695-1700,共6页郭宇锋 李肇基 张波 方健 
国家自然科学基金资助项目 (批准号 :60 2 760 40 )~~
提出了具有阶梯分布埋氧层固定电荷 (SBOC) SOI新型高压器件 ,并借助求解多区二维泊松方程建立其击穿电压模型 ,对阶梯数 n从 0到∞时的器件击穿特性进行了研究 .结果表明 ,该结构突破常规 SOI结构纵向耐压极限 ,使埋氧层电场从常规 75...
关键词：SOI 埋氧层固定电荷 击穿电压 模型 
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