耐压模型

作品数：11被引量：26H指数：2
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薄外延层RESURF LDMOS完全耐压模型被引量：2
《固体电子学研究与进展》2007年第4期540-544,共5页李琦 张波 李肇基 
提出硅基薄外延RESURF LDMOS不全耗尽和完全耗尽的完全耐压模型。基于求解二维Poisson方程,获得该结构二维表面电场和击穿电压的完整解析表达式。借助此模型研究击穿电压与器件结构参数、外延层掺杂浓度和衬底掺杂浓度的关系;在满足最...
关键词：薄外延 完全 击穿电压 模型 
薄外延阶梯掺杂漂移区RESURF耐压模型被引量：2
《固体电子学研究与进展》2006年第1期1-5,共5页李琦 李肇基 张波 
提出薄外延阶梯掺杂漂移区RESURF结构的耐压解析模型。借助求解二维Po isson方程,获得薄外延阶梯掺杂漂移区的二维表面电场和击穿电压的解析表达式。基于此耐压模型研究了不同阶梯漂移区数(n=1、2、3、5)的击穿特性,计算了击穿电压与结...
关键词：薄外延 阶梯掺杂 降低表面电场 击穿电压 解析模型 
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