静态随机存取存储器

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nvSRAM：存储器
《世界电子元器件》2011年第5期33-33,共1页
赛普拉斯半导体公司推出串行非易失性静态随机存取存储器（nvSRAM），该存储器具有I^2C和SPI接口，可用于仪表、工业和汽车应用。新的器件最高工作频率可分别达到104MHz（SPI器件）和3．4MHz（12C器件）。同时，用户还可以选择集成实时...
关键词：静态随机存取存储器 NVSRAM 赛普拉斯半导体公司 SPI接口 非易失性 I^2C 汽车应用 工作频率 
CY148101Q1／Q2：非易失性SRAM
《世界电子元器件》2009年第12期40-40,共1页
赛普拉斯半导体推出1Mbit串行非易失性静态随机存取存储器（nvSRAM）系列，以及新的拥有集成实时时钟（RTC）的4Mbit和8Mbit nvSRAM。 nvSRAM基于其S8 0．13μm SONOS嵌入式非易失性存储器技术，能达到更大的密度并改善存取时间和性能。
关键词：非易失性存储器 NVSRAM 静态随机存取存储器 SONOS 实时时钟 存取时间 半导体 嵌入式 
最小静态随机存取存储器元件研制成功
《世界电子元器件》2009年第1期10-10,共1页
日本东芝公司、美国IBM和AMD公司近日联合发表新闻公报，这3家公司共同利用鳍式场效晶体管开发出面积仅0．128平方微米的静态随机存取存储器（SRAM）元件，并确认这种世界上最小的SRAM元件能够正常工作。
关键词：静态随机存取存储器 元件 日本东芝公司 AMD公司 SRAM IBM 晶体管 
CY148102／108：2／8Mbit nv SRAM
《世界电子元器件》2008年第9期61-61,共1页
赛普拉斯推出2M吼和8Mbit非易失陛静态随机存取存储器（nvSRAM），进一步丰富了公司旗下从16Kbit到8Mbit的nvSRAM产品系列。该新型产品的存取时间短至20ns，支持无限次的读写与调用循环，数据能保存20年。nvSRAM为需要持续高速写入数据...
关键词：NVSRAM 静态随机存取存储器 存取时间 数据安全 非易失性 RAID 工业控制 数据通信 
赛普拉斯力推CellularRAM
《世界电子元器件》2002年第11期68-68,共1页
随着移动通信系统迅速从2G向2.5G和3G发展,无线网络带宽的增长使移动多媒体应用逐步成为现实.在这一趋势的带动下,新一代无线网络终端对存储器在数量和性能上也提出新的要求.
关键词：CellularRAM 静态随机存取存储器 SRAM 赛普拉斯公司 无线存储技术 
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