多晶硅发射极

作品数：49被引量：23H指数：2
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相关作者：张利春王阳元郭维廉李荣强高玉芝更多>>
相关机构：北京大学中国电子科技集团第二十四研究所微电子有限公司东南大学更多>>
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掺砷多晶硅发射极RCA晶体管被引量：2
《Journal of Semiconductors》2000年第7期697-704,共8页张利春 叶红飞 金雪林 高玉芝 宁宝俊 
研究了掺砷多晶硅发射极 RCA晶体管的工艺实验技术 .以先进多晶硅发射极器件制备工艺为基础 ,在淀积发射极多晶硅之前 ,用 RCA氧化的方法制备了一层超薄氧化层 ,并采用氮气快速热退火的方法处理 RCA氧化层 ,制备出可用于低温超高速双极...
关键词：RCA晶体管 多晶硅发射极 掺砷 
超高电流增益多晶硅发射极BICFET的研制与特性
《Journal of Semiconductors》1997年第4期286-291,共6页郭维廉 宋玉兴 M.A.Green M.K.Morvvej-Farshi 
研制并测量了poly－Si（n+）／UTI／n－Si隧道结发射极双极反型沟道场效应晶体管（BICFET）．发现在极低电流下，此器件的小信号电流增益（G）超过106．本文对此作出了新的解释．
关键词：BICFET 增益 场效应晶体管 多晶硅 发射极 
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