云南高校图书馆联盟文献共享服务平台- 单粒子烧毁

单粒子烧毁: 作品数：51被引量：82H指数：5; 导出分析报告; 相关领域：电子电信更多>>; 相关作者：王颖唐本奇曹菲耿斌贾云鹏更多>>; 相关机构：杭州电子科技大学西安电子科技大学哈尔滨工业大学西北核技术研究所更多>>; 相关期刊：《电力电子》《装备环境工程》《微电子学与计算机》《核电子学与探测技术》更多>>; 相关基金：国家自然科学基金国家电网公司科技项目国家高技术研究发展计划贵州省重大科技专项计划项目更多>>

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4H-SiC和6H-SiC功率VDMOSFET的单粒子烧毁效应被引量：12: 《微纳电子技术》2017年第2期80-85,共6页刘忠永蔡理刘小强刘保军崔焕卿杨晓阔; 国家自然科学基金资助项目(11405270); 对基于4H-SiC和6H-SiC的垂直双扩散MOSFET(VDMOSFET)的单粒子烧毁(SEB)效应进行了对比研究。建立了器件的二维仿真结构,对不同SiC材料构成的器件物理模型及其材料参数进行了修正。利用Silvaco TCAD软件进行了二维器件的特性仿真,得到了...; 关键词：碳化硅(SIC) 单粒子烧毁(SEB) 垂直双扩散MOSFET((VDMOSFET)) SEB阈值电压二维器件仿真