化学掺杂

作品数：55被引量：136H指数：6
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过渡金属硫族化合物基于激子的光致发光调控研究进展
《广州化学》2024年第5期17-22,共6页邹琳 王兴军 李生娟 
国家自然科学基金项目(12174417)。
简单介绍了二维(2D)层状过渡金属硫族化合物(transition metal dichalcogenide,TMD)材料中的激子,具体介绍了TMD材料的优缺点以及目前研究所面临的现状和问题,其中合成高产率、高性能的单层TMD是TMD作为下一代电子材料进一步发展的关键...
关键词：二维材料 过渡金属硫族化合物 激子 光致发光 化学掺杂 
PVDF压电薄膜的性能优化研究进展被引量：9
《压电与声光》2021年第4期542-549,共8页曹茜茜 魏淑华 姚沛林 张静 王艳蓉 王盛凯 
聚偏氟乙烯(PVDF)压电薄膜是一种压电高分子材料,具有广泛的科学价值和技术应用前景。PVDF薄膜因具有独特的压电效应,且质地软,灵敏度高及频响范围宽等优点,使其在能量收集、新型智能传感器、生物医学、电池隔膜等领域得到了广泛的应用...
关键词：聚偏氟乙烯 压电 Β晶型 制备工艺 化学掺杂 改性 应用 
基于化学掺杂的碳纳米管二极管
《新型炭材料》2018年第5期476-480,共5页宋传娟 杨俊茹 廖成浩 刘晓东 王英 贺蓉 董续盛 钟汉清 刘一剑 张丽英 陈长鑫 
上海市浦江人才计划(15PJ1403300);上海市“科技创新行动计划”国际合作项目(15520720200);国家自然科学基金(61177052);全国优秀博士学位论文作者专项资金(201154);教育部霍英东青年教师基金(131064)。
本文制备了一种基于局部化学掺杂的单壁碳纳米管(SWCNT) p-i-n结二极管。在此器件中,单根SWCNT沟道的两端分别被掺杂成p型和n型,沟道中段保留为本征状态,从而在SWCNT中形成具有较强内建电场的p-i-n结,表现出二极管特性。所制二极管器件...
关键词：单壁碳纳米管 p-i-n结二极管 局部化学掺杂 整流特性 
S^(2-)掺杂对Ce^(3+)-SiO_2材料发光性能的影响被引量：4
《硅酸盐学报》2007年第1期10-15,共6页徐光青 郑治祥 汤文明 吴玉程 
合肥工业大学中青年创新基金(103-037016)资助项目。
通过化学掺杂及气氛控制掺杂的手段对Ce3+–SiO2材料进行S2–掺杂改性,并对其光吸收和光致发光性能进行分析。研究阴离子掺杂对基体氧化硅材料缺陷态发光以及Ce3+的发光波长及强度的影响。结果表明:采用化学掺杂S2–可明显改变400～600...
关键词：硫离子 铈离子掺杂二氧化硅 化学掺杂 气氛控制掺杂 
激光诱导化学掺杂及其在半导体器件制备中的应用
《半导体技术》1991年第2期1-5,共5页宋登元 
本文在叙述了激光诱导化学掺杂技术基本原理的基础上,主要介绍了连续波激光直写化学掺杂和脉冲激光化学掺杂的方法及其掺杂特性,最后简要介绍了它在半导体器件制备工艺中的应用。
关键词：半导体器件 掺杂 激光诱导 制备 
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