混频器设计

作品数:78被引量:109H指数:5
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一款集成驱动放大器的低变频损耗混频器设计被引量:2
《半导体技术》2018年第4期260-265,共6页杨立 李卫民 张佃伟 段冲 
采用0.5μm Ga As工艺设计并制造了一款单片集成驱动放大器的低变频损耗混频器。电路主要包括混频部分、巴伦和驱动放大器3个模块。混频器的射频(RF)、本振(LO)频率为4-7 GHz,中频(IF)带宽为DC-2.5 GHz,芯片变频损耗小于7 dB,本...
关键词:双平衡混频器 串联二极管环 螺旋式巴伦 变频损耗 集成驱动放大器 
基于90nm CMOS工艺的超宽带分布式混频器设计
《半导体技术》2014年第11期808-811,860,共5页谢仁贵 王维波 陶洪琪 张斌 
摘要:基于TSMC 90nm CMOS工艺设计了一款18~100GHz的超宽带无源漏极混频器,混频器采用了均匀分布式结构,通过牺牲延迟来获得超宽带带宽。同时,提出了一种栅极电压优化技术,通过优化偏置电压Vcs来最小化CMOS混频器的传输损耗。混...
关键词:分布式 漏极 无源 超宽带 低功耗 
Ka波段镜像抑制谐波混频器设计被引量:5
《半导体技术》2012年第12期950-954,共5页黄锦沛 唐宗熙 吴韵秋 张彪 杜倚诚 
针对现代毫米波接收机和雷达系统高抗干扰能力的需求,分析了具有镜像频率抑制能力的谐波混频器的基本原理,提出了一种Ka波段镜像抑制谐波混频器的设计方案。该混频器由两个混频单元组成,利用输出信号的相位关系识别RF信号和镜频信号,RF...
关键词:镜像抑制 谐波混频器 KA波段 变频损耗 驻波比 
5.8GHz CMOS混频器设计被引量:3
《半导体技术》2008年第3期257-260,共4页任怀龙 默立冬 吴思汉 陈兴 冯威 廖斌 吴洪江 
国家自然科学基金重点资助项目(90307016);国家预研项目(E0617010)
介绍了CMOS混频器主要技术指标的设计思路和技术。采用0.18μm CMOS工艺,使用Agilent公司的ADS软件设计出一种5.8 GHz CMOS混频器电路,结果表明,工作电压1.8 V时,RF频率5.8 GHz,本振频率5.78 GHz,中频频率20 MHz下,转换增益7.3 dB、输入...
关键词:CMOS混频器 转换增益 线性度 
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