固相外延生长

作品数：9被引量：6H指数：1
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Si_(0.2)Ge_(0.8)/Ge异质结的离子束辅助固相外延生长
《微纳电子技术》2011年第12期797-801,共5页徐文婷 肖清华 常青 屠海令 
国家自然科学基金资助项目(60706001);国家科技重大专项资助项目(2008ZX02401)
采用离子束辅助固相外延技术,在Ge基片上制备了SiGe/Ge异质结。利用高分辨透射电镜(HRTEM)、能量散射谱(EDX)、喇曼散射谱对SiGe/Ge异质结的形貌、成分和结构等物理性质进行了表征。还利用上述分析手段研究了固相外延温度对SiGe/Ge异质...
关键词：SiGe/Ge 异质结 离子注入 固相外延 缺陷 
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