关断损耗

作品数：45被引量：70H指数：5
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一种650 V微沟槽IGBT设计与优化
《微电子学》2024年第4期659-664,共6页陈冠谋 冯全源 陈晓培 
国家自然科学基金(62090012);四川省重点研发项目(2023YFG0004)。
介绍了关于IGBT的注入增强原理,以及使用Sentaurus TCAD软件对不同Mesa宽度以及不同沟槽栅长度的器件进行了仿真优化。根据仿真结果以及第三代FS Trench设计平台,设计了一款650 V MPT-IGBT(Micro-Pattern Trench IGBT)。根据流片样品的...
关键词：IGBT 微沟槽绝缘栅二极管 沟槽栅 关断损耗 注入增强 
一种具有部分高介电常数介质调制效应的IGBT被引量：1
《微电子学》2021年第2期246-250,共5页陈为真 程骏骥 
国家自然科学基金青年基金资助项目(61604030)。
提出了一种具有高介电常数介质填充沟槽的绝缘栅双极晶体管(IGBT)。分析了高介电常数介质调制效应。结果表明,与普通场阻型IGBT相比,该器件的击穿电压提高了8%,通态压降减小了8%,关断损耗降低了11%;在相同通态压降下,该器件的关断损耗...
关键词：绝缘栅双极晶体管 高介电常数 关断损耗 功率器件 
一种利用高介电常数薄膜改进的快速关断SOI-LIGBT
《微电子学》2020年第4期584-588,共5页林靖杰 陈为真 程骏骥 陈星弼 
国家自然科学基金青年基金资助项目(61604030)。
介绍了一种利用高介电常数薄膜改进的、制作于绝缘衬底上的横向绝缘栅双极型晶体管(SOI-LIGBT)。一方面,覆盖在硅表面的高介电常数薄膜具有引导电通量的作用,可优化器件漂移区的表面电场分布,在器件耐压等级不变的情况下,节约芯片面积,...
关键词：LIGBT 高介电常数 关断损耗 功率半导体器件 
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