光学邻近效应

作品数：34被引量：53H指数：3
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极紫外光刻中的边缘放置误差控制
《中国激光》2024年第7期64-84,共21页曹晶 杨文河 刘泽旭 陈韫懿 魏鑫 林楠 
极紫外(EUV)光刻是7 nm及以下技术节点芯片大规模量产的关键技术。随着技术节点的减小、工艺复杂性的增加,芯片的良率面临着巨大挑战。边缘放置误差(EPE)是量化多重曝光技术过程中制造图案保真度的最重要指标。EPE控制已成为多重曝光和...
关键词：测量 极紫外光刻光源 套刻 光学邻近效应校正 对准 
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